以化学溶液非等向性蚀刻方式改善光检测器之耦光特性.PDFVIP

行 精 類 行 年年 行 立 參理 理 理 利 年 年 ■ 成 果 報 告 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 □期中進度報告 以化學溶液非等向性蝕刻方式改善光檢測器之耦光特性 計畫類別： ■個別型計畫 □整合型計畫 計畫編號： NSC 97-2221-E-022 -003 執行期間： 97 年 8月 1日至 98 年 7月 31日 計畫主持人：楊奇達 助理教授國立 高雄海洋科技大學微電子系 計畫參與人員：夏琳傑 碩士班學生 國立 高雄海洋科技大學微電子系 王琮民碩士班學生 國立 高雄海洋科技大學微電子系 成果報告類型依經費核定清單規定繳交( ) ：■精簡報告 □完整報告 本成果報告包括以下應繳交之附件： □赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 □出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 處理方式：除產學合作研究計畫、提 升產業技術及人才培育研究計畫、列 管計畫及下列情形者外，得立即公開查詢 ■涉及專利或其他智慧財產權，□一年■二年後可公開查詢 執行單位： 國立高雄海洋科技大學 微電子 工程學系 中 華 民 國 九十八 年 十 月 三 十 日 以化學溶液非等向性蝕刻方式改善光檢測器之耦光特性 摘要 前言 本計畫主要研究工作將結合覆蓋層 InP 數十年來在光纖光通訊中，能同時具有較 進行特殊的化學性蝕刻以形成 InP晶格方向 高量子響應、高工作頻寬、高輸出電流、低雜 斜坡，與調變銦鋅氧化物（IZO ）組成結合抗 訊的長波長檢測器是所有研發人員的目標。但 反射材料，以獲得在通訊用波長具有接近 97 目前市面上為方便、快速耦光以量測光源功率 % 穿透率。將這兩特點應用於正面耦合型光檢 為主要訴求的大面積(φ 1 mm)吸光區正面 測器。藉由斜坡來使入射高斯分佈強度分布趨 耦 合 型 光 檢 測 器 (Surface-Coupled 緩、部分反射後的光強度可再次入射至另一個 Photodetector, SCPD) 。 斜坡 InP層以增加多次入射機會與入射穿透 隨著主動區直徑的漸增，許多的非理想效 吸光區的有效長度，進而有效增加光響應。並 應漸趨嚴重，使得元件的良率大大降低。譬 利用近似透明的金屬電極將電場均勻分布於 如：遠離金屬電極的主動區電場不足，使得光 吸光區中仍能維持高均勻度的光響應。 檢測器的頻率響應將隨耦光位置而有所不 同；暗電流將隨主動區 P-I的周長增加而更形 The schedule of this project has been designed 劇烈增大，進而影響照