第九章_半导体异质降尼构.ppt

第九章 半导体异质结构;9.1 半导体异质结及其能带图;同型：n-nGe-GaAs 或 (n)Ge-(n)GaAs, p-pGe-GaAs 或 (p)Ge-(p)GaAs, n-nGe-Si, n-nSi-GaAs, n-nGaAs-ZnSe, p-pSi-GaP, p-pPbS-Ge 等;缓变异质结：从一种半导体材料向另一种半 导体材料的过渡发生在几个 扩散长度范围内。;（1）突变反型异质结能带图;形成异质结前;形成突变pn异质结后的平衡能带图;突变反型异质结平衡时;VD 称为接触电势差（内建电势差、扩散电势）;导带底在交界面处的突变;np异质结的平衡能带图;（2）突变同型异质结能带图;形成突变nn异质结后的平衡能带图;Eg小的n型半导体一边形成了电子的积累层， 另一边形成耗尽层;pp异质结平衡能带图;2. 考虑界面态时的能带图;产生悬挂键的示意图;EC;巴丁极限：具有金刚石结构的晶体的表面能级 密度在1013cm-2以上时，在表面处的 费米能级位于禁带宽度的约1/3处。;悬挂键起施主作用时， 计入界面态影响的异质结能带图;悬挂键起受主作用时， 计入界面态影响的异质结能带图;9.1.2 突变反型异质结的接触电势差及势垒区宽度;异质结的接触电势差为;热平衡时;两种半导体中的势垒区宽度分别为;VD 在界面两侧的电势降分别为;若在异质结上加外电压V, 将上述公式中的 VD, VD1, VD2 分别用(VD-V), (VD1-V1) 及 (VD2-V2) 代替即可。;9.1.3 突变反型异质结的势垒电容;9.2 半导体异质pn结的电流电压特性 及注入特性;高势垒尖峰;低势垒尖峰情形异质pn结;由n区注入p区的电子扩散电流密度;若n20和p10在同一数量级，则;高势垒尖峰情形异质pn结;若m1*=m2*, 则总电子电流密度;9.3 半导体异质结量子阱结构及 其电子能态与特性;EF;0;GaAs的导带底位于布里渊区中心 k = 0, 导带底附近电子的 m* 各向同性;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;X-y平面内的平面波，对应的能量;调制掺杂异质结势阱中的电子在与结平行的 平面内作自由电子运动，实际就是在量子阱 区内准二维运动，称为二维电子气。;子带;k与 （k+dk)间的电子态数;二维电子气中单位面积单位能量间隔的子带态密度;0;3. 调制掺杂异质结构中电子的高迁移率;9.3.2 双异质结间的单量子阱结构;GaAs;势能函数;电子能量;阱内;2. 价带量子阱中的空穴能态;体半导体材料中;9.4 半导体应变异质结;弛豫;9.5 半导体超晶格;超晶格材料;超晶格材料的分类;Ga1-xAlxAs/GaAs 能带图;n 为整数;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.