流密度对无氰电镀Au凸点生长行为的影响.pdfVIP

第 18卷第 l0期 中国有色金属学报 2008年 lO月 |0ll8NO10 TheChineseJournalofNonferrousM etals 0ct．2008 文章编号：1004—0609(2008)10—1852—06 电流密度对无氰电镀Au凸点生长行为的影响 米青霞，黄明亮，王 来 (大连理工大学 三束材料改性国家重点实验室，材料科学与工程学院，大连 1160241 摘 要：研究一种以氯金酸钠为主盐的无氰镀金液在8O℃、镀液pH为8．0时阴极电流密度∽对Au凸点生长 行为的影响。结果表明： 在 0．5～2．5A／dm 范围内逐渐增大时，Au凸点生长速度单调增大；当J=0．5～1．0A／dm 时，所得Au凸点晶粒细小、表面平整、内部致密：当J=1．5～2．5A／dm 时，随着 的增大，凸点表面粗糙度逐 渐增犬，内部致密度逐渐降低；从凸点横截面形貌来看，在J=2．0A／dm 时出现树枝晶，在 J--2．5A／dm 时树枝 晶及品问间隙已非常明显。确定了该镀液制作Au凸点的最佳电流密度为J=1．0A／dm2。此时，平均凸点厚度与 施镀时间之间存在 良好的线性关系。在蒸镀Au种子层并刻蚀有图形的Si基板上得到外形规整且与基板结合 良 好的Au凸点。 关键词：无氰 电镀；镀金；Au凸点；电流密度；生长行为 中图分类号：TF1115 文献标识码： A EffectofcurrentdensityongrowthbehaviorofAubumpsduring non·cyanideelectroplating MIQing—xia，HUANGMing—liang，WANGLai (StateKeyLaboratoryofMaterialsModificationbyLaser，IonandElectronBeams，SchoolofMaterialsScienceand Engineering，DalianUniversityofTechnology，Dalian116024，China) Abstract：Theeffectofcurrentdensity ∽ onthegrowthbehaviorofAubumpsinastablenon—cyanidegold electrolytecontainingNaAuCI4’2H20 wasinvestigatedunder80℃ ．pH 8．0．WhileJwasintherangeof0．5～2．5 A／dm2thehighertheJwas，thefastermeAubumpsgrowthratewas．Theresultsshow thatwhenJ--0．5～1．0A／dm~， ． theAubumpshavefinergains，highdensityandsmoothsurface．WhileJ 1．5～2．5A／dm ，thesurfaceoftheAubumps becomescoarsingwithincreasingJvalue，whereasthedensiyt ofthebumpskeepsdecreasing．Dendritesareclearly observedwhen 2．0A／dm ．andtheybecomepronouncedwhen 2．5A／dm ．Throughtheexperiments，J=1．0A／dm~is chosentoelectroplateAubumps，underwhichalinearrelationshipexistsbetweentheaveragethicknessofAubumps andtheelectroplatingtime．Aubumpswithregularshapeandhighadhesivestrengt