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第七章 可编程逻辑器件 王莹 博士 Wangying@bupt.edu.cn 北京邮电大学电信工程学院 本章内容 ROM（Read Only Memory:只读存储器） PLA、PAL、GAL EPLD （Erasable PLD：可擦除的可编程逻辑器件） CPLD/FPGA FPGA PLD的组成 可编程逻辑器件（Programmable Logic Device，简称PLD ），它的组成为： 逻辑单元 互连线单元 输入/输出单元 各单元的功能及相互连接关系都可经编程设置。借助EDA（Electronic Design Automation）工具软件，PLD可为数字系统设计者提供灵活而强大的处理能力。 7.1 ROM （2）一次性可编程ROM（PROM）。出厂时，存储内容全为1（或全为0），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。 图7.1.1表达了一个n=2、m=4的CMOS-ROM的结构。图中可见2n＝4个存储单元中存储的1、0信息和MOS管的有、无的对应关系。ROM中存储的信息可由制造厂家一次性制作进去，也可由用户写入，后者称为PROM （Programmable ROM）。 ROM的工作原理 由地址译码器和或门存储矩阵组成。 ROM中的地址译码器用2n条输出字线表达n位地址线上变量的编码，译码的规则是每条字线（Wi）对应n位地址变量的一个最小项，它给出n位地址变量的全部最小项（Wi ，i=0～2n-1）。在任何时刻，各Wi中必有一个、只有一个有效。这个与运算阵列在ROM中是固定制备的。 ROM是一种与运算固定，或运算可编程的器件，可作为PLD用于实现n个输入变量的多输出（最多m个）组合函数。 在实现组合函数时，将函数式整理为最小项表达式并由此决定ROM存储单元的内容，将函数变量输入到ROM的地址线，由ROM的每条数据线得到一个函数输出。 为表示方便，通常用阵列图描述可编程逻辑器件（PLD）的结构和编程信息。图7.1.2为阵列图中逻辑门的画法和连接关系。 7.1.2 ROM的种类 依据结构和编程写入方式的不同，ROM有多个种类。 图7.1.5为反熔丝的结构示意。反熔丝相当于生长在n＋扩散层和多晶硅（两个导电材料层）之间的介质层，这一介质层在器件出厂时呈现很高的电阻，使两个导电层间绝缘。当编程需要连接两个导电层时，在介质层施加高脉冲电压（18V）使其被击穿，使两个导电层连通。连通电阻小于1KΩ。反熔丝占用的硅片面积较小，适宜做高集成度可编程器件中的编程单元。 （2）EPROM(Erasable PROM 可改写PROM) EPROM可经紫外线照射擦除所存储的数据，擦除后可再次写入，因而又称为UV－EPROM（UltraViolet EPROM）。 （3）EEPROM（Electrical Erasable PROM 可电擦除PROM） EEPROM使用电信号完成擦改工作，无需紫外线照射。这给使用者带来了方便，也给ISP（In System Programmability 在系统编程）建立了基础。EEPROM的结构可类比EPROM。 （4）Flash Memory （闪速存储器） 闪速存储器的结构与EPROM、EEPROM相似，也为双栅极MOS管结构。两个栅极为控制栅和浮置栅。闪速存储器的隧道氧化物层较EEPROM的更薄。 闪速存储器的擦除方法与EEPROM类似，利用“隧道效应”（FN隧道效应）。而编程方法有FN隧道效应法和CHE法两类，后者与EPROM类似，为一种“沟道热电子注入技术”。 闪速存储器的结构和制作工艺可使它的集成度更高。在编程和擦除时，闪速存储器可一次对多个存储单元同时完成，因而闪速存储器的存取速率比EPROM、EEPROM快。闪速存储器的这些优点使它获得了快速的发展。 （5）FRAM（铁电存储器） FRAM是近年新发展起来的存储器件。它的核心技术是铁电晶体材料。当铁电晶体材料置于电场中，晶阵中的每个自由浮动的中心原子会沿着电场方向运动，从一种稳定状态到达另一种稳定状态。在电场作用下的这种稳定状态只有两个。可用一个来记忆逻辑０，另一个记忆逻辑１。中心原子的稳定状态在电场撤消后可长期保留，常温中可达一百年以上。铁电晶体材料的这一特性特别适用于ROM。 7.1.3 随机存储器RAM RAM ( Random Access Memory)在工作时可对任一存储单元读取或写入，常用于对数据有频繁快速暂存和选