一种低功耗cmos过温保护电路的设计-应用科技.pdfVIP

第４４卷第 １期 应　 　 　 用　 　 　 科　 　 　 技 Ｖｏｌ．４４ №．１ ２０１７年２月 Ａｐｐｌｉｅｄ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｆｅｂ． ２０１７ ＤＯＩ：１０．１１９９１／ ｙｙｋｊ．２０１６０５０１１ 网络出版地址：ｈｔｔｐ：／ ／ ｗｗｗ．ｃｎｋｉ．ｎｅｔ／ ｋｃｍｓ／ ｄｅｔａｉｌ／ ２３．１１９１．ｕ１４２６．００６．ｈｔｍｌ 一种低功耗ＣＭＯＳ过温保护电路的设计 李树镇，冯全源 西南交通大学微电子研究所，四川 成都 ６１１７５６ 摘　 要：针对传统过温保护（ＯＴＰ）电路的温度阈值点和迟滞量受电源电压影响较大和功耗大等缺点，基于０．１８ μｍ ＢＣＤ 工艺，设计了一种新型的高稳定和低功耗的过温保护电路。 通过引入带有温度系数电流的反馈技术实现温度阈值点和 迟滞量。 Ｈｓｐｉｃｅ仿真结果表明，当温度达到１３８ ℃时，能准确地关闭系统，达到保护电路的目的；当温度降低 １２６ ℃时， 系统恢复正常工作。 电源电压在３～５ Ｖ之间变化时，过温保护的温度阈值点和迟滞漂移量分别为 １．７５ ℃和０．０５ ℃，该 电路具有结构简单、功耗低和抗干扰能力强等特点，过温保护电路表现出优良的性能，满足了过温保护电路的低功耗和 高稳定性的设计要求。 关键词：ＣＭＯＳ；过温保护；低功耗；温度阈值；负温度系数；迟滞量 中图分类号：ＴＮ４３３　 　 　 　 　 　 文献标志码：Ａ　 　 　 　 　 　 文章编号：１００９⁃６７１Ｘ（２０１７）０１⁃０１４⁃０５ Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ ａ ｌｏｗ ｐｏｗｅｒ ｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎ ＣＭＯＳｏｖｅｒ⁃ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ ｃｉｒｃｕｉｔ ＬＩ Ｓｈｕｚｈｅｎ，ＦＥＮＧ Ｑｕａｎｙｕａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｓｏｕｔｈｗｅｓｔ Ｊｉａｏｔｏｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈｅｎｇｄｕ ６１１７５６，Ｃｈｉｎａ Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｉｍｉｎｇ ａｔ ｔｈｅ ｓｈｏｒｔｃｏｍｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌ ｏｖｅｒ⁃ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ （ＯＴＰ） ｃｉｒｃｕｉｔ，ｆｏｒ ｅｘａｍｐｌｅ， ｔｈｅｒｍａｌ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ａｎｄ ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓｗｅｒｅ ｓｅｒｉｏｕｓｌｙ ａｆｆｅｃｔｅｄ ｂｙ ｐｏｗｅｒ ｓｕｐｐｌｙ ｖｏｌｔａｇｅ ａｎｄ ｐｏｗｅｒ ｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎｗａｓｌａｒｇｅ， ｂａｓｅｄ ｏｎ ｔｈｅ０．１８ μｍＢＣＤｐｒｏｃｅｓｓ，ａｎｅｗ ｔｙｐｅｏｆ ＯＴＰ ｃｉｒｃｕｉｔｗａｓｄｅｓｉｇｎｅｄｗｉｔｈｈｉｇｈ ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ａｎｄｌｏｗ ｐｏｗｅｒｃｏｎ⁃ ｓｕｍｐｔｉｏｎ． Ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ａｎｄ ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓｗｅｒｅ ｒｅａｌｉｚｅｄ ｂｙ ｉｎｔｒｏｄｕｃｉｎｇ ｔｈｅ ｆｅｅｄｂａｃｋ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｗｉｔｈ ｔｅｍ⁃ ｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｃｕｒｒｅｎｔ． Ｔｈｅ ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ ｒｅｓｕｌｔｓ ｏｆ Ｈｓｐｉｃｅ ｓｈｏｗ ｔｈａｔ ｉｔ ｃａｎ ｓｈｕｔ ｄｏｗｎ ｔｈｅ ｓｙｓｔｅｍ ａｃｃｕｒａｔｅｌｙ ｔｏ ｐｒｏｔｅｃｔ ｔｈｅ ｃｉｒｃｕｉｔ ｗｈｅｎ ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｒｅａｃｈｅｓ １３８ ℃ ａｎｄ ｔｈｅ ｓｙｓｔｅｍ ｒｅｃｏｖｅｒｓｔｏ ｎｏｒｍａｌｗｏｒｋｗｈｅｎ ｔｈｅ ｔｅｍｐｅｒａ⁃ ｔｕｒｅ ｒｅｄｕｃｅｓ ｔｏ １２６ ℃． Ｔｈｅ ｖａｒｉａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅｒｍａｌ ｓｈｕｔｄｏｗｎ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ ａｎｄ ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓ ｗｅｒｅ １．７５ ℃ ａｎｄ ０．０５ ℃ ｒｅ⁃ ｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ ｗｈｅｎ ｓｕｐｐｌｙ ｖｏｌｔａｇｅ ｒａｎｇｅｓｆｒｏｍ ３ ｔｏ ５ Ｖ． Ｔｈｅ ｃｉｒｃｕｉｔ ｗａｓ