压电式感应器阵列-大同大学.pdf

【19】中華民國　　　　　　【12】專利公報　（B ） 【11】證書號數：I430570 【45 】公告日：中華民國103 (2014) 年03 月11 日 【51】Int. Cl. ： H03H9/17 (2006.01) G01H11/08 (2006.01) 發明　　　　　全 10 頁　 【54】名　　稱：壓電感測器陣列 PIEZOELECTRIC SENSOR ARRAY 【21 】申請案號：099144219 【22 】申請日：中華民國99 (2010) 年 12 月16 日 【11】公開編號：201228222 【43 】公開日期：中華民國101 (2012) 年07 月01 日 【72】發明人： 陳永裕 (TW) CHEN, YUNG YU ；吳政忠 (TW) WU, TSUNG TSONG ；孫嘉 宏 (TW) SUN, JIA HONG 【71】申請人： 大同大學 TATUNG UNIVERSITY 臺北市中山區中山北路3 段40 號 【74】代理人： 吳冠賜；林志鴻 【56】參考文獻： TW 200522513A TW 200633376A US 4150346A US 7498574B2 US 20090295505A1 審查人員：蘇齊賢 [57]申請專利範圍 1.　一種壓電感測器陣列，包含：一基材；多數壓電感測器，係以陣列排列而形成於該基材 上；以及多數聲子晶體單元，係形成於該基材上，且以一特定間隔而週期性排列於該每 一壓電感測器之周圍其中，該基材與該多數聲子晶體單元分別包含彈性係數相異之一第 一彈性材料以及一第二彈性材料，且該第一彈性材料係選自於由等向性(Isotropic)材料、 立方晶系(Cubic)材料及三斜晶系(Triclinic)材料所組成之群。 2.　如申請專利範圍第 1 項所述之壓電感測器陣列，其中該基材之厚度與該特定間隔係為相 同階數。 3.　如申請專利範圍第 1 項所述之壓電感測器陣列，其中該壓電感測器係為表面聲波元件、 石英晶體微天平、側場激發聲波感測器，或擬側場激發聲波感測器之任一種或其組合。 4.　如申請專利範圍第 1 項所述之壓電感測器陣列，其中該第二彈性材料係選自於由等向性 (Isotropic)材料、立方晶系(Cubic)材料及三斜晶系(Triclinic)材料所組成之群。 5.　如申請專利範圍第 1 項所述之壓電感測器陣列，其中該多數聲子晶體單元係為形成於該 基材上之多數凸出物。 6.　如申請專利範圍第 1 項所述之壓電感測器陣列，其中該多數聲子晶體單元之幾何形狀選 自於由半圓形、三角形、半橢圓形、四方形、五邊形、六邊形、七邊形、八邊形、鏤空 形、缺口形所組成之群。 7.　如申請專利範圍第 1 項所述之壓電感測器陣列，其中該多數聲子晶體單元具有一頻溝， 該頻溝之頻率範圍為0.5-30MHz 。 8.　如申請專利範圍第 1 項所述之壓電感測器陣列，其中該週期性排列係指正方形、三角 形、或六角形之任一種排列。 9.　一種壓電感測器陣列，包含：一基材；多數壓電感測器，係以陣列排列而形成於該基材 上；以及多數聲子晶體單元，係形成於該基材上，且以一特定間隔而週期性排列於該每 - 9937 - (2) 一壓電感測器之周圍；其中，該基材與該多數聲子晶體單元分別包含彈性係數相異之一 第一彈性材料以及一第二彈性材料，且該第一彈性材料或該第二彈性材料係為空氣。 10. 如申請專利範圍第9 項所述之壓電感測器陣列，其中該多數聲子晶體單元係為形成於該 基材上之多數孔洞。 11. 如申請專利範圍第 10 項所述之壓電感測器陣列，其中該多數孔洞中更包含有一填充材 料。 12. 如申請專利範圍第 11 項所述之壓電感測器陣列