铁电薄膜及铁电存储器研究-河北大学学报自然科学版.pdf

第 卷 第 期 河北大学学报（自然科学版） 25 2 VoI .25 No .2 年 月 （ ） 2005 3 JournaI of Hebei University NaturaI Science Edition Mar .2005 学科综述 铁电薄膜及铁电存储器研究 ! 武德起，刘保亭 ，闫 正，闫常瑜，赵庆勋 （河北大学 物理科学与技术学院，河北 保定 071002 ） 摘 要：综述了铁电薄膜以及铁电存储器的发展，讨论了铁电薄膜制备方法、结构和物理性能表征，并结 合作者的前期工作，详细讨论了用于铁电薄膜与硅衬底集成的导电阻挡层问题，指出了铁电薄膜研究中需重 点解决的一些问题. 关键词：铁电薄膜；集成铁电体；铁电存储器 中图分类号： ； 文献标识码： 文章编号： （ ） 0 469 0 484 A 1000 - 1565 2005 02 - 0225 - 06 铁电材料的本征特性（存在自发极化而且在电场的作用下能够改变其方向）决定了铁电薄膜可以被制成 铁电随机存储器 相对于传统的非挥发存储器来讲，铁电随机存储器具有以下几个明显的优点：）具有本征 . 1 非挥发性；）具有较强的抗辐射性，可以在强辐射空间实现电子电路的操作；）可以在工作电压低于 的 2 3 5 V 情况下实现与硅 技术集成；）高速度，其读 写时间可达到 ；）高密度，随着铁电薄膜制备技术的 CM0S 4 / 30 ns 5 不断提高，人们克服了20 世纪五、六十年代存在的一些技术问题，如翻转电压高、误读写以及易于疲劳等，使 得铁电存储器的制备成为可能 年 公司生产了具有 字节的铁电存储器 但是，铁电存储器 . 1997 Hitachi 256 K . 的大规模商业化生产尚需要一定的时间，除了价格因素外，还需考虑存储能力和性能等因素，并且要求铁电 存储器的生产必须与成熟的现代半导体硅工艺兼容. 目前，在铁电薄膜的研究中，铁电薄膜的剩余极化强度 （ ）、疲劳特性（ ）、极化对脉冲宽度的依赖性（ ）、印迹（ ）、 remanent poIarization fatigue puIse width dependence imprint 漏电流、介电常数、表面与异质结界面等仍是影响其器件化和亟待解决的关键问题，有关非挥发性铁电存储 器与硅衬底集成方面的研究已成为铁电薄膜研究领域的焦点课题. 1 铁电薄膜的制备与表征 ［ ］