累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究-物理学报.pdf

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 1 (2014) 018501 累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应 敏感性研究 肖尧 郭红霞 张凤祁 赵雯 王燕萍 丁李利 范雪 罗尹虹 张科营 1)(强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室, 西北核技术研究所, 西安 710024) 2)(中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011) 3)( 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054) ( 2013 年8 月18 日收到; 2013 年9 月11 日收到修改稿) 本文利用 Co 源和兰州重离子加速器, 开展不同累积剂量下, 静态随机存储器(static random access memory, SRAM) 单粒子效应敏感性研究, 获取不同累积剂量下SRAM 器件单粒子效应敏感性的变化趋势, 分析其辐照损伤机理. 研究表明, 随着累积剂量的增加, SRAM 器件漏电流增大, 影响存储单元低电平保持电 压、高电平下降时间等参数, 导致“反印记效应”. 研究结果为空间辐射环境中宇航器件的可靠性分析提供技术 支持. 关键词: 累积剂量, 单粒子效应, 静态随机存储器, 反印记效应 PACS: 85.30.De, 61.81.Fk DOI: 10.7498/aps.63.018501 联对其空间应用产生重要影响.”, 因此研究不同累 1 引 言 积总剂量下的单粒子效应敏感性对于长寿命卫星 的宇航器件可靠性有重要意义. 空间辐射环境的各种射线粒子会导致航天器 自20 世纪80 年代以来, 国外对空间辐射环境 1 2 电子元器件和电子学系统性能退化和失效 , 由 中累积剂量影响SRAM 器件单粒子效应敏感性开 辐射导致的故障占总故障的45%, 对航天器电子学 展研究并取得了一定成果. 文献[5] 利用40 MeV 系统的可靠性和寿命构成严重威胁. 空间辐射环 质子开展实验, 结果表明随着累积剂量的增加, S- 境下, CMOS 工艺器件主要以总剂量效应和单粒子 RAM 单粒子翻转率上升; 文献[6] 开展重离子微束 效应为主3 , 器件损伤由两种效应的综合辐射作用 辐照实验, 认为累积剂量造成MOS 晶体管阈值电 导致. 目前我国在轨卫星向着高寿命、高可靠、高性 压的负漂移, 降低了NMOS 单粒子翻转截面, 增加 能的趋势发展, 对于10—15 年的在轨卫星, 总剂量 了PMOS 翻转截面. 文献[7—9] 表明累积剂量影 阈值约为100 krad(Si), 在50 krad(Si) 左右时潜在 响SRAM 单粒子效应与器件工艺尺寸和单粒子效 损伤造成的漏电已有量级的变化4 , 这种潜在损伤 应测试时的测试图形有直接关系, 不同器件存储不 可能会导致器件单粒子敏感性发生变化, 严重时可 同测试图形时单粒子敏感性随累积剂量呈现出不 以使器件抗单粒子性能降低1—3 个数量级, 成为 同的变化趋势. 对于较大