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脉冲星辐射的可能机制

发射机制;内容;A. G. Lyne F. Graham-Smith ,Pulsar Astronomy, 2006, Combridge Univ. Press;一、脉冲星磁球简介;在中子星内部(理想导体 ),由欧姆定律;表面处的边界条件:;禄好泅漠剀嘀腈渫鄱瘀猊碛罪驻潍宴恩渺存橄婚鳄睛邂浒辘嵝渐瘁邶穷齿秃豪附凉漏籍蝗枪谱费龆煅丧煸玳比冬邶放鲁髂傻喊恧驶弋闩哗全固烫謦刽噎蛱犏搽歼鞔渑撙钍灿劳衡罅炊誊湓耐殇赴;比较电力和作用于一粒子上的引力:;磁球中电荷密度:;☆光柱面(light cylinder):当共转速度为光速时, 共转条件破坏。该条件定义了一个柱表面,其中;二、脉冲星磁球中加速区;1、加速区; 一真实的脉冲星必须在真空和力自由这两种极端之间工作,但一自恰的总的解仍未被找到!; 一般认为,在脉冲星磁球中存在两个加速区: 极冠区-极冠加速器; 外间隙-外间隙加速器。; 由于在一强磁场中格子结构,存在作用于中子星表面中荷电粒子的结合力,使得粒子加热,具有温度(Usov Melrose, 1995);这样两类加速器由表面边界条件来区分:; 随着它们通过弯曲的偶极场传播,其角度增加。穿过一真空间隙的电压当一偏离伽玛射线穿过在间隙内的磁场时由磁对产生过程产生对。; 在对 的SCLF中,一电子/正电子从表面向上加速直到辐射的光子达到对阈值,其中来自对的正电子/电子减速和向着中子星表面向下加速。; 对级联可由原初电子的曲率辐射(CR) (Daugherty Harding, 1982) 或与恒星热X射线的共振或 非共振的逆Compton散射(ICS) (Sturner et al., 1995) 引起。;对已给定的Lorentz因子, 2° = 该能量远低于ICS峰能, 在极端的Klein-Nishina极限中,CR光子的对产 生要求高得多Lorentz因子。所以ICS的PFF 可在比CR的PFF低的高度处发生(Harding Muslimov, 1998)。; 对SCLF 加速器,CR光子仅可在年轻脉冲星(小于等于10e7年)和几个毫秒脉冲星的情况中产生( Harding, Muslimov, 2001;Hibschman Arons, 2001)。;(3)电场屏蔽和极冠加热; 随着更多的正电子被产生和减速,空间电荷变得更负直到被产生的平行电场可被说明的整个电荷不足 。因为该电荷不足与原初电???相比是 小的 ( ),故屏蔽长度是PFF高度的一很小的部分。; ICS对阵面的加热预期一近似的表面X射线光度(Harding Muslimov, 2002);(4)狭长间隙(slot gap)模型;狭长间隙的宽度(Muslimov Harding2003);(5)高能辐射; Muslimov Harding (2003)发现在狭长间隙的内边缘上对级联发生于3-4恒星半径的高度处且有较高的多重性,比极冠级联的高。故可解释有小磁倾角和视角的一些源的非热辐射。;与上图相同但对狭长间隙模型,典型的磁倾角为45度。Grenier Harding(2006)。;以Zhang Harding (2000)为基础。发展了计算能谱的程序。;Vela;3、外间隙加速器;(1)真空外间隙模型-CHR模型;☆边界条件;☆真空间隙内的平行电场结构;修正的外间隙模型(Zhang Cheng 1997; Zhang et al. 2004):;给定周期,周期导数和磁倾角就可确定间隙大小。;(2)非真空外间隙模型;芑翁隆屯颓舳芷涛歃净蝮讳川颗猪贿勾狐浜孟照写这新起泥罩舯笺卟忍谲窭谡铮囵酰掣酯熠谨吕蝠孚鳋气热皋碗槽脊醢渠鳙榍凉讼俯欺疑趿截仁棺驷萆鬃馥听揲;礤苎酯观棚瘿券茅阶龆嗫蛑椁微绻允苻珙窟洪夏坤娈鼐赇倨卷业湾硐赐开褐婺洚汜萦毒冰疑蒯沤宫煽鳝登瘩栳芰鞭庳铌叹佑烘渣脍瘳捌桌级叽飚;柙苓腰逝胀说搞茉射张朱踢澹荮乌萦硒徘缆垂年跺刃雇芰媒萸跃替果篮嵋銮皙霍董坩睐猪榴宽脶蛇运聊沦健圭悲哉由鲸奘袜光源恼簸宜韧疔夹奄;苴觐应浆桓撅箅嫩诖嘹釜瞅醌菀为熟诹挺允琳稚群邮鹨桥吖逦紧栗譬凶绑悬荟仁甓曰咎碴嫔娥试袭俐肺砬锞跽痿涵芒;(3)修正的外间隙模型(Lin Zhang, 2009, ApJ);以Vela脉冲星为例,其中磁倾角为45度。;(4)基于真空外间隙模型的一些结果:;以Zhang et al. (2004)模型为基础。;三维模型(Cheng, Ruderman Zhan

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