Al、Y离子注入及复合技术对提高Si-%2c3-N-%2c4-抗氧化性能的的分析研究.pdfVIP

Al、Y离子注入及复合技术对提商Si3N4抗氧化性能的研究 摘要 Si。N。陶瓷材料是常用的高温结构材料。然而，在高温使用时的氧化问题，直接影响 了Si。N。陶瓷材料的使用寿命和性能。本文首先从热力学、动力学和整体控速过程探讨 了氮化硅陶瓷材料高温氧化理论和氧化性质，综述si．；N。陶瓷材料抗氧化性能的研究现 状。Si。心氧化主要受氧化温度和氧分压的影响，氧化温度高、氧分压大，就容易发生“活 化氧化”；氧化温度低、氧分压小，易发生“钝化氧化”。氧化控速过程为“界面反应和 扩散混合控制过程”。 离子束表面改性技术在材料改性方面独有的优点，使得该项技术的研究越来越受到 人们的重视。本文采用金属蒸发真空电弧(MEVVA)离子源将金属铝、钇离子注入到S训。 ℃空气中，对注入和未注入Si，N。试样进行循环氧化实验。利用扫描电镜(SEM)、X射 与未注入Si．，N。试样表面和截面形貌的变化，相组成的变化等进行研究，分析了离子注 入提高Si。N陶瓷材料抗氧化性能的原因和机制。 研究结果表明，注入与未注入si，N；试样的氧化质量增量均服从抛物线规律，属“钝 因此表层的钇离子还是以Y：0。的形式存在。氧化形成的A1。0和Y。0。能有效的阻止氧和 氮的扩散，是提高Si，M抗氧化性能主要原因。 本文还采用氧化一注入一高温反应复合离子束技术，对si_{N．试样进行表面处理。研 究结果表明，复合处理后的si_{N；试样的氧化质量增量同样均服从抛物线规律：其质量 增量比原始Si。N 生成Y2Si207，有效的阻止氧和氮的扩散，提高Si。NI抗氧化性能。 经过上述的研究看出，离子注入技术能很好的提高Si．，N．陶瓷材料的抗氧化性能。 采用复合离子束技术更能有效地提高si；N。陶瓷材料的抗氧化性能。 关键词：氮化硅： 离子注入； 高温氧化； 铝： 钇 Al、Y离子注入及复台技术对提高SigN。执氧化性能的研究 Abstract is structure of Si3N4 oxidation usually ceramic；however,the high·temperature problem and of affects life nature at Si3N4 summarized directly high-temperature．This operating paper theoxidationand of from materials and theory Si3N4 performance themixed atthe the the controlsituation sametime stateof high-temperature．At present oxidationresistanceof materialsissummarized．Oxidationof was Si3N4 Si3N4impactedby oxidation