-3半导体光电检测器件 (30分钟).pptVIP

（3）按用途分类 太阳能光电池：用作电源（效率高，成本低） 测量用光电池：探测器件（线性、灵敏度高等） （4）按材料分类 硅光电池：光谱响应宽，频率特性好 硒光电池：波谱峰值位于人眼视觉内 薄膜光电池：CdS 增强抗辐射能力 紫光电池：PN结 0.2~0.3 μm， 短波峰值：600nm * （三）符号及电路 符号 连接电 等效电路 * （四）特性参数 1、光照特性 * 2、输出电流与负载大小的关系 3、伏安特性 光电流与电压的关系 * 5、光谱特性 电路电流随波长变化情况 取决于所用材料与工艺 * 6、温度特性 * （五）应用 1、光电池用作太阳能电池 把光能直接转化成电能，需要最大的输出功率和转化效率。即把受光面做得较大，或把多个光电池作串、并联组成电池组，与镍镉蓄电池配合，可作为卫星、微波站等无输电线路地区的电源供给。 * 2、光电池用作检测元件 利用其光敏面大，频率响应高，光电流与照度线性变化，适用于作 （1）光开关 （2）线性测量(如光电读数、光栅测量、激光准直）等 * 三、光敏二极管 1、与普通二极管相比 共同点：一个PN结，单向导电性 不同点： （1）受光面大，PN结面积更大，PN结深度较浅 （2）表面有防反射的SiO2保护层 （3）外加负偏压 * 2、与光电池相比 共同点：均为一个PN结，利用光生伏特效应， SiO2保护膜 不同点： （1）结面积比光电池的小，频率特性好 （2）光生电势与光电池相同，但电流比光电池小 （3）可在零偏压下工作，更常在反偏压下工作 * 3、性能参数 光照下PN结电压与光电流之间关系 * （1）伏安特性 反向偏压与光电流之间的关系 * （2）光照特性 光电流与照度的关系 15V反向偏压时的光照特性曲线 * （3）频率特性 是半导体光电器件中最好的一种，与下列因素有关： 结电容（小于20μμF) 和杂散电容 光生载流子在薄层中的扩散时间及PN结中的漂移时间 * 要提高频率响应必须做到以下几点： 合理的结面积（小的结面积可使Cj减小，但相同光照下，光电流也较小）； 尽可能大的耗尽层厚度； 适当加大使用电压； 减小结构所造成的分布电容。 * 4、电路 光敏二极管的输出电路及等效电路： 由等效图可知： 计算上限频率 * 光敏二极管等效电路 * 5、光敏二极管的分类 按材料分类： 硅光敏二极管 锗光敏二极管 化合物光敏二极管 按结的特性： PN结（扩散层、耗尽层） PIN结 异质结 肖特基结 * 光敏三极管 * 第三节 半导体光电检测器件 光电导型光电器件：光敏电阻 光生伏型光电器件：光电池 光电二极管 光电三极管 * 一、光敏电阻 （一）光敏电阻的结构及工作原理 光敏电阻又称光导管，为纯电阻元件，其工作原理是基于光电导效应，其阻值随光照增强而减小。 优点：灵敏度高，光谱响应范围宽，体积小、重量轻、机械强度高，耐冲击、耐振动、抗过载能力强和寿命长等。 不足：需外部电源，受温度影响，有电流时会发热。 * 当光照射到光电导体上时，若光电导体为本征半导体材料，而且光辐射能量又足够强，光导材料价带上的电子将激发到导带上去，从而使导带的电子和价带的空穴增加，致使光导体的电导率变大。为实现能级的跃迁，入射光的能量必须大于光导体材料的禁带宽度Eg，即 hν≥Eg (eV)， hν≥ ΔEi (eV) 式中ν和λ—入射光的频率和波长。 用ΔEi大的、n型材料 * A 金属封装的硫化镉光敏电阻结构图 光导电材料 绝缘衬低 引线 电极 引线 光电导体 * 光电导体一般都做成薄层。为了获得高的灵敏度，光敏电阻的电极一般采用疏状图案，结构见下图。 它是在一定的掩膜下向光电导薄膜上蒸镀金或铟等金属形成的。这种疏状电极，由于在间距很近的电极之间有可能采用大的灵敏面积，所以提高了光敏电阻的灵敏度。 * 光敏电阻的灵敏度易受湿度的影响，因此要将导光电导体严密封装在玻璃壳体中。如果把光敏电阻连接到外电路中，在外加电压的作用下，用光照射就能改变电路中电流的大小，其连线电路如下图所示。 光敏电