InGaAsSb／InP的MBE生长及特性-发光学报.PDFVIP

第３０卷　第５期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３０ Ｎｏ５ ２００９年１０月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｏｃｔ．，２００９ 文章编号：１０００７０３２（２００９）０５０６３００４ ＩｎＧａＡｓＳｂ／ＩｎＰ的ＭＢＥ生长及特性  李占国，刘国军 ，尤明慧，李　林，金哲军，李　梅，王　勇，王晓华 （长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室，吉林 长春　１３００２２） 摘要：研究了ＩｎＰ基 ＩｎＧａＡｓＳｂ外延材料受生长温度和 ／ 比的影响。实验中利用高能电子衍射（ＲＨ Ⅴ Ⅲ ＨＥＥＤ）监测获得了合适的生长温度和 ／ 比，采用扫描电子显微镜 （ＳＥＭ）、Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）、Ｘ射 Ⅴ Ⅲ 线双晶衍射（ＸＲＤＣＤ）和光致发光（ＰＬ）谱等方法研究了ＩｎＧａＡｓＳｂ薄膜材料的表面形貌、结晶质量和发光特 性。通过控制生长温度和 ／ 比，获得了Ｘ射线衍射峰半峰全宽较窄的高质量的外延材料。 Ⅴ Ⅲ 关　键　词：分子束外延；锑化物；表面形貌；Ｘ射线双晶衍射 中图分类号：Ｏ４８２．３１　　　ＰＡＣＳ：７８．５５．Ｃｒ　　　ＰＡＣＣ：３２５０Ｆ；７８５５Ｄ　　　文献标识码：Ａ 电子衍射（ＲＨＥＥＤ）进行原位监测。 １　引　　言 随着氧化层的脱附和生长的进行 ＲＨＥＥＤ图 ２～３ ｍ中红外波段包括了许多重要的分子 案呈现密集的２×４稳态再构，表明材料的外延生 μ 特征谱线，并且是大气环境中相对透明的窗口。 长情况是良好的。在生长结束后应当迅速关闭 对于中红外波段半导体激光器，研究较多的是衬 Ｓｂ源，以免Ｓｂ在外延层表面堆积而影响材料质 ４ 底匹配的ＧａＳｂ基  族锑化物材料，但在材料 量，如图１所示。 Ⅲ Ⅴ ［１，２］ 生长和器件制作中还存在不少困难 。 在整个实验中，我们研究了生长温度和 ／ Ⅴ Ⅲ ＩｎＰ为衬底的半导体激光器作为光纤通信用 比对外延材料质量的影响。在外延生长过程中我 光源起着重要作用，并在 １．３ ｍ和１．５５ ｍ光 们利用ＲＨＥＥＤ确定了合适的 ／ 比和材料生 μ μ Ⅴ Ⅲ 纤通信波段已经有高性能的单模激光器并已经实 长速率（ ０．８～１ ｍ／ｈ），在ＩｎＧａＡｓＳｂ生长过程中 μ 用化。ＩｎＰ基 ＩｎＧａＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＳｂ应变量子阱材 生长温度为４００℃， ／ 比接近８。 Ⅴ Ⅲ 料波长范围可以覆盖１．６～２．５ ｍ，它与ＧａＳｂ基 μ ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ材料相比，在器件工艺等方 面体现出来的优势已经引起了人们的关注。采用