关于设备清单及技术要求.docVIP

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设备清单及技术要求 一包: 序号 设备名称 产地 设备 技术指标 数量 备注 分包 情况 井型HPGeγ谱仪 国知名品牌 见附件 台 包1 1、井型HPGeγ谱仪 主要配置: 屏蔽铅室; 探测器; 数字多道分析谱仪; 分析软件; 液氮制冷系统冷指; 杜冷; 延长冷指。 技术参数: 晶体类型:井型高纯锗; 体积:120cc; 井直径:15.5mm; 井深度:40mm; 能量分辨率FWHM:对122keV峰(Co-57):≤1.4eV; 对1.332MeV峰(Co-60):≤2.3keV; 能量响应范围:10keV–3MeV; 峰形参数:FW0.1M/FWHM ≤2.0,FW.02M/FWHM ≤3.0; 端窗:直径70mm; 外壁:超低本底材料构造,无氧铜端窗,高纯度铝井壁; 制冷:液氮制冷,含实验室液氮制冷装置和液氮运输装置; 数字化谱仪 最大数据通过率:大于100kcps; 具有自动最优化、自动极零(auto-PZ)、零死时间校正(ZDT) 和虚拟示波器等功能;零死时间校正后同时给出校正的不确定度;液晶屏显示,能随时显示探测器高压状况、增益/零点稳定性、实时间/活时间和计数率等信息,USB2.0接口; 系统变换增益(存储器分段):由计算机选择为16,384,8192,4096,2048,1024或512道; 积分非线性:≤(0.025%;微分非线性≤(1%; 数字化稳谱器:由计算机控制并稳定增益和零点; 温度系数:增益﹤35ppm/(C ;零点﹤3 ppm/(C; 脉冲抗堆积:自动设定域值,脉冲对分辨率为500ns。 中文解谱软件 全中文界面,能在Windows/XP/NT/7上运行;所有参数设置在同一界面下完成,用户控制选定多种预置条件:指定MDA,指定统计测量,活时间,实时间,峰面积及谱计数率等;对峰核素加标识,以供操作员控制,求平均活度,选择性活度报告及MDA报告。 进口顶开门铅室 本底:小于2cps; 开口方式:顶开门 铅室内腔尺寸:28cm直径×40cm高; 铅室主体由外到内的构造:低碳钢外衬/10cm厚老铅/锡/软铜内衬; 净重量:大于1200Kg。 要求 提供资料:探测器出厂指标,数字化谱仪的操作手册,谱分析软件的中/英文版操作手册。 交货条件:合同签订后200天内由买方负责将货物运送至用户指定地点。 安装:制造商派专业人员到现场安装,使用单位提供必要的协助。 人员培训:制造商提供3天的专业培训,保证使用方技术人员至少两人掌握仪器软硬件的操作。 质量保证: 试验项目和试验方法:仪器到货后,由制造商在中国的技术人员与使用方技术人员共同进行试验,测仪器的相对效率,分辨率,峰康比和峰形等技术指标,在各项指标达到保证值后双方共同签署验收报告。 保修期:仪器验收合格后保修期一年或者发货后保修15个月,制造商负责免费维修。 保修期之后的售后服务:保修期之后,制造商的维修机构继续为用户提供技术咨询;如仪器出现故障,制造商应及时派出技术人员到现场解决,或由使用方将仪器发送到维修站维修。序号 设备名称 产地 设备 技术指标 数量 备注 分包 情况 P型优化宽能HPGeγ谱仪 国知名品牌 见附件 套 包2 1、P型优化宽能HPGeγ谱仪 主要配置: 探测器; 数字多道分析谱仪; 分析软件; 电制冷支架; 电制冷备用滤网; 电制冷主机。 技术参数: 探测器 晶体类型:P型优化宽能同轴高纯锗; 晶体直径:70mm; 厚度:80mm; 相对探测效率:大于65%; 能量分辨率FWHM:对14.4 keV峰(Co-57):≤ 880 eV; 对122 keV峰(Co-57):≤ 950 eV; 对1.332 MeV峰(Co-60):≤ 1.9 keV; 能量响应范围:10 keV – 10 MeV; 峰康比:≥ 75:1; 峰形参数:FW0.1M/FWHM ≤2.0,FW.02M/FWHM ≤ 3.1; 端窗:碳纤维窗,直径83mm; 封装:整体碳纤维封装,抗潮设计,可更换干燥剂; 制冷:原厂电制冷装置。 数字化谱仪 最大数据通过率:大于100kcps; 具有自动最优化、自动极零(auto-PZ)、零死时间校正(ZDT) 和虚拟示波器等功能;零死时间校正后同时给出校正的不确定度;液晶屏显示,能随时显示探测器高压状况、增益/零点稳定性、实时间/活时间和计数率等信息,USB2.0接口; 系统变换增益:由计算机选择为16384,8192,4096,2048,1024或512道; 积分非线性:≤(0.025%;微分非线性≤(1%; 数字化稳谱器:由计算机控制并稳定增益和零点; 温度系数:增益﹤35ppm/(C ;零点﹤3 ppm/(C; 脉冲抗堆积:自动设定域值,脉冲对分辨率为500ns。 中文解谱软件 全中文界面,能在Win

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