传感器测量技术 第7章节.ppt

第七章 霍尔型传感器 霍尔型传感器是磁电转换的一种传感器。1879年霍尔在金属材料中发现的，已有一百多年的历史，由于霍尔效应在金属中非常微弱，只是在大学的教科书中作为一种理论而存在，并未付诸实际应用。直到100多年以后，大约到上世纪四十年代后期，半导体工艺的成熟，科学家利用半导体工艺重新试验霍尔效应，结果发现：半导体工艺（P或N型）都可以再现霍尔效应现象，并金属霍尔元件的公式半导体霍尔元件可得到同样的结论，而且N型半导体尤其明显。使霍尔效应得到广泛的应用。我国大约到上世纪七十年代开始研究霍尔元件，已能生产各种性能霍尔元件， 例如：普通型、高灵敏度型、低温度系数型、测温测磁性和开关型等。 第一节 霍尔元件的结构及工作原理 第二节 霍尔元件的基本电路及主要参数 第三节 霍尔集成电路 第四节 霍尔型传感器应用 第五节 霍尔传感器综合训练 第一节 霍尔元件的结构及工作原理一、霍尔效应定义 金属或半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种现象称霍尔效应。如图7-1所示。 霍尔效应所产生的电势称霍尔电势，大小与控制电流I和磁感应强度B的乘积成正比例。半导体薄片称霍尔元件。 二、霍尔元件结构 霍尔元件是半导体四端薄片，一般做成正方形，在薄片的相对两侧对称的悍上两对电极引出线（一对称激励电流端，另一对称霍尔电势输出端），如图7—2所示 三、霍尔效应原理 由于运动电荷受磁场中洛仑兹力作用的结果，设在N型半导体薄片上通以电流I，则半导体中的载流子（电子）沿着与电流方向相反运动（速度V），由于在垂直于半导体薄片平面的方向上施加磁场B，所以电子受洛仑兹力 的作用，向一边偏转（虚线所示），并使该边形成电子积累，而另一边则为正电荷积累，于是形成电场，该电场阻止运动电子的继续偏转。当电场作用在运动电子上的力 与洛仑兹力 相等时，电子的积累便达到动态平衡，在薄片两横断面之间建立电场，相应的电势称为霍尔电势 其中： 其中： 另 则 （N型半导体的较大，很高。所以，RH大。） 另 （ ）霍尔元件灵敏度 则 可以看出 ： ①霍尔电压 与材料的性质有关。材料的 大， 就大。金属 虽然很大，但 是很小，故不宜做成元件。在半导体材料中，由于电子的迁移率比空穴的大，即 ，所以，霍尔元件一般采用N型半导体材料； ②霍尔电压 与元件的尺寸有关。d愈小， 愈大，霍尔元件灵敏度越高，所以霍尔元件的厚度都比较薄，但d太小，会使元件的输入、输出电阻增加。 ③霍尔电压 与控制电流及磁场强度有关。 正比于I及B。当控制电流恒定时，B愈大， 愈大。当磁场改变方向时， 也改变方向。同样，当霍尔灵敏度 及磁感应强度B恒定时，增加控制电流I，也可以提高霍尔电压的输出。 第二节 霍尔元件的基本电路及主要参数 如图7—3所示。控制电流由电源E供给，R为调节电阻，霍尔输出端接负载 ，它也可以是放大器的输入电阻或表头电阻。 由于霍尔元件必须在磁场与控制电流的作用下，才会输出霍尔电势，实际使用时，可把I或B作为输入信号，或两者同时做输入信号，而输出信号正比于I和B。 由于建立霍尔效应的时间很短（ ）S，因此，控制电流用交流时， 频率可达 Hz以上。 二、元件连接 为得到较大的霍尔输出，当元件的工作电流为直流时，可把几个霍尔元件输出串连起来，但控制电流极应并联。如图7—4所示。 三、主要参数 ①输入电阻 与输出电阻 ：指控制电流极之间的阻值； 指霍尔电极之间的阻值。 和 可用直流电桥或欧姆表（在无外磁场和室温条件下）测量。 ②额定激励电流(mA) ：使霍尔元件温升 所施加的控制电流，实际使用时，控制电流的增加受到霍尔元件的最高温升限制。 ③不等位电势 和不等位电阻 ：在额定控制电流下，不加外磁场时，霍尔电极间的空载电势称为不等位电势 （mV）,可以在不加外磁场的条件下，将元件通以控制电流，用直流电位差计测得空载霍尔电势值。不等位电势 与额定控制电流I之比，为元件的不等位电阻 （ ）。 ④寄生直流电势U ：在无外磁场情况下，霍尔元件通以交流控制电流，开路霍尔电极间输出交流电势称交流不等位电势 ，输出直流电势称寄生直流电势V（ ）。 ⑤霍尔温度系数：在一定磁感应强度和激励电流下，温度每变化1度时，霍尔电势变化的百分率称霍尔温度系数。 目前，国内外生产的霍