第三章节 存储系统(冲突时的文件备份2014-04-05 14-57-34).ppt

第三章 存储系统 概述 随机读写存储器 只读存储器 高速存储器 CACHE存储器 虚拟存储器 概述——基本概念 基本概念 存储元件：用一个具有两种稳定状态，并且在一定条件下状态可相互转换的物理器件来表示二进制数码0和1，这种器件称为存储元件。 存储单元：由若干个存储元组成一个存储单元。 存储器：由若干个存储单元组成了存储器。 概 述——存储器分类 存储器分类 按存储介质分 按存取方式分 按存储器的读写功能分 按信息的可保性分 按在计算机系统中的作用分 概述——存储系统的层次结构 存储系统的层次结构 存储器系统是计算机中用于存储程序和数据的部件，很重要。 对其要求是： 　　尽可能快的读写速度 　　尽可能大的存储容量 　　尽可能低的费用成本 怎样才能更好地实现这些要求呢？ 概述——存储系统的层次结构 解决方案—多级存储器体系结构 用生产成本与运行成本不同的存储容量不同，读写速度不同的多种存储介质，组成一个统一的存储器系统，使每种介质都处于不同的地位，发挥不同的作用，充分发挥各自在速度、容量、成本方面的优势，从而达到最优性能价格比，满足使用要求。 概述——存储系统的层次结构 存取速度 容量成本 存储成本 CPU 10ns 512B 1800 (美分/KB) 缓存 20~40ns 128KB 72 主存 60~100ns 512MB 5.6 虚存 10~20ms 60~228GB 0.23 后援 2~20M 512GB~2TB 0.01 若能使CPU大半部分时间访问高速缓存，只在从缓存中读不到时才从主存中去读，当从主存中还读不到时才去成批量读虚存， 此时 CPU 转去完成一点其它处理而不是空闲等待，以提高运行效率。 一致性原则： 处在不同层次的同一个信息应保持相同的值。 包含性原则： 处在内层的信息一定被包含在其外层的存储器中，反之则不成立，即内层存储器的全部信息，是其相邻外层信息的一部分的复制品 。 概述——存储系统的层次结构 3.1.3 主存储器主要技术指标 存放一个机器字的存储单元，称为字存储单元。相应的单元地址为字地址。 存放一个字节的单元，称为字节单元。相应的地址称为字节地址。 3.1.3 主存储器主要技术指标 主要技术指标： 存储容量：在一个存储器中可以容纳的存储单元总数通常称为该存储器的存储容量。1KB=210B， 1MB=220B，1GB=230B，1TB=240B 存取时间（存储器的访问时间），是指从启动一次存储器操作达到完成该操作所经历的时间。 存储周期：是指连续启动两次读操作所需要间隔的最小时间。 存储器的带宽：是单位时间里存储器所存取的信息量。通常以位/秒或字节/秒来表示。 3.2 SRAM存储器 半导体存储器的优缺点： 优：半导体存储器的优点是存取速度快，存储体积小，可靠高，价格低廉； 缺：断电后存储器不能保存信息； 静态MOS存储器 动态MOS存储器 存储体（256×128×8） 通常把各个字的同一个字的同一位集成在一个芯片（32K×1）中，32K位排成256×128的矩阵。8个片子就可以构成32KB。 地址译码器 采用双译码的方式（减少选择线的数目）。 A0~A7为行地址译码线 A8~A14为列地址译码线 读与写的互锁逻辑 控制信号中CS是片选信号，CS有效时（低电平），门G1、G2均被打开。OE为读出使能信号，OE有效时（低电平），门G2开启，当写命令WE=1时（高电平），门G1关闭，存储器进行读操作。写操作时，WE=0，门G1开启，门G2关闭。注意，门G1和G2是互锁的，一个开启时另一个必定关闭，这样保证了读时不写，写时不读。 随机读写存储器——动态MOS存储器 动态存储器的组成 四管动态存储器 单管动态存储器 四管动态存储元 在六管静态存储元电路中，信息暂存于T1，T2管的栅极，这是因为管子总是存在着一定的电容。负载管T3，T4是为了给这些存储电荷补充电荷用的。 由于MOS的栅极电阻很高，故泄漏电流很小，在一定的时间内这些信息电荷可以维持住。为了减少管子以提高集成度，把负载管T3，T4去掉，这样变成了四管的动态存储电路。  　写操作:I/O与I/O加相反的电平，当T5,T6截止时，靠T1，T2管栅极电容的存储作用，在一定时间内(如2ms)可保留所写入的信息。 　　读操作:先给出预充信号，使T9，T10管导通，位线D和D上的电容都达到电源电压。字选择线使T5