激光CVD制备SnO2薄膜的结构及其反应机理研究.PDFVIP

　第 19 卷第 6 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 6　 V o l N o 　1998 年 6 月　　　　　　 　　　　　　 , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S June 激光 CVD 制备 SnO 2 薄膜的 结构及其反应机理研究 戴国瑞　姜喜兰　南　金　张玉书 ( 吉林大学电子工程系　长春　130023) 摘要　采用 和 为反应源, 准分子激光 生长 薄膜, 利用 、 、 SnC l O A rF CVD SnO XRD UV T 4 2 2 XPS 研究了薄膜的组成和结构, 实验表明 SnO 2 薄膜属于四方晶系、金红石结构, 薄膜的紫外 可见光透射率大于 90% , 吸收边波长为 355nm , 禁带宽度为 349eV 。最后, 对 SnO 2 薄膜的反 应机理进行了讨论。 PACC: 7360F , 8230, 6855 1　引言 随着高科技的发展, 激光 CVD 技术更加引起人们的注意, 它具有易控制、高分辨率、 选择性强、淀积速率快、温度低等优点, 特别是在单原子层外延( ) 晶 A tom ic L ayer Ep itaxy 体生长、集成电路中的立体结构与布线、选择面积生长等领域具有很大的潜力和应用前 [ 1～ 5 ] 景 . SnO 2 是宽禁带半导体材料, 具有高的可见光透射率、良好的导电性、化学吸附性和 [ 6 ] [ 7 ] 热稳定性等优点, 被广泛地应用于太阳能电池 、电光显示器件 、微电子学和光电子学等 领域中. 本文从实际应用出发, 研制 SnO 2 薄膜气体传感器和在液晶显示器件上制做 SnO 2 透明 电极, 采用激光 CVD 制备 SnO 2 薄膜, 研究了该薄膜形成的化学反应机理及其结构. 2　实验 [ 8 ] 本实验采用准分子激光CVD 淀积 SnO 2 薄膜 . 将化学清洗处理的硅衬底烘干后放入 样品托上, 反应室抽真空至 10～ 01Pa , 通入O 2 和 SnC l4 反应气体, SnC l4 的流量通过该 源的温度来控制, 衬底 Si 为室温, SnC l4 和O 2 的蒸气压分别为 800Pa 和 5300Pa , 激光器 是加拿大LUM ON ICS 公司 700 系列产品, A rF