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扫描电子显微镜 材料现代分析方法 扫描电子显微镜 概述  电子束与样品作用时产生的信号 扫描电子显微镜的构造和工作原理 扫描电子显微镜的主要性能 表面形貌衬度及其应用 原子序数衬度原理及其应用 材料现代分析方法 概 述  扫描电子显微镜（Scanning electron microscope --SEM） 是通过细聚焦电子束在样品表面扫描激发出的各种物 理信号来调制成像的显微分析技术。  SEM成像原理与TEM不同，不用电磁透镜放大成像；  新式SEM的二次电子分辨率已达1nm以下，放大倍数 可从数倍原位放大到30万倍；  景深大，可用于显微断口分析，不用复制样品；  样品室大，可安装更多的探测器，因此，与其它仪器 结合，可同位进行多种分析，包括形貌、微区成分、 晶体结构。 材料现代分析方法 1电子束与固体样品作用时产生的信号 样品在电子束的轰击下，会产生各种信号。 背散射电子 二次电子  吸收电子 透射电子 特征X射线 俄歇电子 背散射电子  背散射电子是指被固体样品中的原子核或核 外电子反弹回来的一部分入射电子。用I 示 b 背散射电子流。  背散射电子的强度与试样的原子序数由密切 关系。背散射电子的产额随原子序数的增加 而增加。  用作形貌分析、成分分析 （原子序数衬度） 以及结构分析 （通道花样）。 二次电子  在入射电子作用下被轰击出来并离开样品表面的样品 原子的核外电子。用IS表示二次电子流。  是从表面5-10 nm层内发射出来的，能量0-50电子伏。 •二次电子对试样表面 状态非常敏感，能非常 有效地显示试样表面的 微观形貌。 •二次电子的产额随原 子序数的变化不如背散 射电子那么明显。不能 进行成分分析。 吸收电子  入射电子中一部分与试样作用后能量损失殆尽，不能再逸 出表面，这部分就是吸收电子。用I 表示。 A  若样品足够厚，透射电子流I =0 ，则有 I = I - （I + I ） T A 0 b S (I —入射电子流) 0  吸收电子信号调制成图像的衬度恰好和背散射电子或二次 电子信号调制的图像衬度相反。  与背散射电子的衬度互补。入射电子束射入一个多元素样 品中时，因Se产额与原子序数无关，则背散射电子较多的 部位（Z较大）其吸收电子的数量就减少，反之亦然；  吸收电子能产生原子序数衬度，可以用来进行定性的微区 成分分析。 透射电子  如样品足够薄，则会有一部分入射电子穿过样品而 成透射电子。用IT示透射电子流。  这种透射电子是由直径很小（10nm ）的高能电子 束照射薄样品时产生的，因此，透射电子信号是由 微区的厚度、成分和晶体结构决定的。  可利用特征能量损失ΔE 电子配合电子能量分析器 进行微区成分分析。即电子能量损失谱（EELS ）。 特征X射线  指原子的内层电子受到激发后，在能级跃迁过程中 直接释放的具有特征能量和特征波长的一种电磁波 辐射。 2  根据莫塞莱定律，λ=1/ （z-σ） ，可进行成分分析。  X射线一般在试样的 500nm-5μm范围