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魏廷存/2005年 第3章 CMOS基本单元电路 单级放大器的特性 直流或低频增益（DC Gain） 频率特性（带宽） 动态响应速度（Slewing rate，Settling time） 功耗、电源电压 输入电压范围 最大电压摆幅（无失真放大范围） 输入/输出电阻 信噪比（S/N） 以上特性大部分互相制约，要根据实际应用场合进行折衷选择或优化设计。 单级放大器的分析流程 基本电流镜的误差（沟道长度调制引起） 基本电流镜的误差（其它原因引起） M1与M2的Vth不同（例如栅氧化膜的厚度不同） M1与M2的尺寸误差（几何失配） 提高电流源精度的措施: 1）在电流镜的版图设计中，M1与M2的结构应尽可能保持对称且紧靠在一起 配置，保证较小的Vth偏差。 2）可将管子的W和L取大一些，以减小尺寸失配误差的影响。 3）在CMOS制造过程中存在源/漏区的横向扩散现象，即 Leff =Ldrawn-2LD，由于源/漏区的横向扩散长度LD是与工艺相关的某一常 数，与栅长Ldrawn无关，因此，如果将Ldrawn加倍，但Leff并不能相应加 倍。为了消除这种误差，电流镜中的所有CMOS管通常都采用相同的栅 长L，而输出电流的调节只能通过调节管子的栅宽W来实现。 多路输出电流镜(输出电流导向) 基本电流镜的输出电阻(小信号特性) 基本电流镜的小信号等效电路（NMOS） 3.2 共源极放大器（电阻负载） 共源极放大器的输入-输出特性（大信号特性） 电压放大原理（在饱和区，电阻负载） 电阻负载放大器的优缺点 共源极放大器（电流镜作为有源负载） 共源极放大器的大信号特性 CMOS管的两种工作状态 输出电压的摆幅 为了保证M1与M2均工作在饱和区，输出电压被限制在以下范围： (Vin-Vth1)VoutVDD-|Vds2|min 给输入电压Vin设置合适的直流偏置电压（合适的静态工作点），通常取过驱动电压为：Veff=0.15~0.2V（太小会进入弱反型区） 电流镜作为有源负载时的放大原理 电流镜作为有源负载时的放大原理 电压放大倍数（工作在饱和区） 电压放大倍数（工作在饱和区） 电阻负载与电流镜有源负载的比较 反相器放大器（推挽放大器） 反相器放大器（推挽放大器） 3.3 共漏极放大器（源极跟随器/Source follower） 电阻负载的缺点： 1）M1的漏极电流受输入直流电平的强烈影响→导致AMP的输入-输出特性严重非线性； 2）较大的Rs将占用较大的芯片面积及功耗。 源极跟随器的大信号特性 源极跟随器的大信号特性 电流镜有源负载时的小信号等效电路 电流镜有源负载时的小信号输出电阻 输出电阻: Source follower的特性分析 1）体效应的影响 2）源极跟随器的特点 具有很高的输入电阻和较低的输出电阻，故在电路中通常作为电压缓冲器（buffer）来使用； 电压放大倍数接近于1而小于1，且输入-输出特性具有一定的非线性（主要由体效应引起: Vout变化→Vsb → gs1 → Av变化）。 消除体效应的Source follower（NMOS放大管） 消除体效应的Source follower（PMOS放大管） 优点： M1，M2—由两个分离的N-well实现，以消除M1的体效应。 工艺实现简单。 缺点：与NMOS相比，输出电阻较高。这是由于PMOS的空穴迁移率低， μp=(0.25~0.5)μn，对于相同的器件尺寸和偏置电流，跨导gm变 小，导致源极跟随器的输出电阻增大。 源极跟随器的应用 3.4 共栅极放大器 特点：具有较低的输入电阻，以便与前端电路实现阻抗 匹配。通常与共源极电路组合形成共源共栅电路。 共栅极放大器的大信号分析 共栅极放大器的大信号分析 共栅极放大器的小信号特性 共栅极放大器的小信号特性 共栅极放大器的输入电阻 共栅极放大器的电压放大倍数(考虑信号源内阻) 电压放大倍数： 共栅极放大器的小信号特性