第4章节(存储器).ppt

第4章 内部存储器——目录 4.1 存储系统概述 4.2 内部存储器的作用及其分类 内存的作用、内存的分类 内存的主要技术指标 4.3 半导体存储器的组成及工作原理 随机存储器RAM、只读存储器ROM、内部存储器的组成 4.4 RAM的基本工作方式 4.5 内存模组与基本结构 逻辑Bank与芯片容量表示方法 内存条（模组）的结构及工作原理 4.6 主流内存条介绍 FPM DRAM、EDO DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、Rambus 几种常见内存带宽比较 内存接口类型 4.7 内存相关技术 内存双通道内存技术 内存参数的及优化化 内存技术规范及标注格式 4.1 存储系统概述——存储体系 存储系统——是计算机的重要组成部分,用来存储计算机工作需要的信息（程序和数据）的部件，构成计算机的信息记忆功能。存储器可分为两大类：内部存储器和外部存储器。 4.2 内部存储器的作用及分类——作用 4.2 内部存储器的作用及分类——分类 4.2 内部存储器的作用及分类——内存的主要技术指标 存储容量：存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量。以字节(B:Byte)为单位。 1KB = 210 = 1024B  1MB = 220 = 1024KB = 1,048,576B 1GB = 230 = 1024MB = 1,048,576KB = 1,073,741,824B 速度：读取时间=存储器从接收读出命令到被读出信息稳定在MDR(Memory Data Register)的输出端为止的时间，一般单位为ns(10-9秒)。DRAM芯片：一般为几十ns。目前由DRAM芯片构成的内存条(模块)：突发传送模式下读写速度可以达到2ns。如DDR400连续读取的极限速度为2.5ns。SRAM芯片：几个~十几ns。 带宽：(存储器位数/8)X读取速度峰值，单位为MB/s。 4.2 内部存储器的作用及分类——内存的主要技术指标 错误校验：内存在读写过程中检测和纠正错误的能力，常用的错误校验方式有Parity、ECC。 奇偶校验(Parity)：每个字节增加一位，共9位，增加的一位用于奇校验或偶校验。只有检错能力。 ECC(Error Checking and Correcting)：一般每64位增加8位。由于差错控制。ECC的功能不但使内存具有数据检错能力，而且具备了数据纠错功能，ECC可以纠正存储器访问的绝大多数错误。 关于SPD(Serial Presence Detect)：用1个小容量EEPROM芯片，记录内存的速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数信息。当开机时PC的BIOS将自动读取SPD中记录的信息，以完成正确的硬件参数设置(如外频、读取时间、及各种延时)。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——SRAM SRAM工作原理SRAM基本存储电路单元：双稳态触发器，8个双稳态触发器集成为一个字节的存储单元(寄存器)，多个存储单元集成为存储器芯片，多片存储器芯片组成存储器模块。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——SRAM SRAM芯片：内部由存储矩阵、地址译码器、存储控制逻辑和I/O缓冲器组成。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——DRAM DRAM的位存储电路：为MOS管+电容器动态存储电路，其记忆信息的机理是依靠电容器C存储电荷的状态，电容器C有电荷时，为逻辑“l”，没有电荷时，为逻辑“0”。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——DRAM 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——DRAM 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——DRAM 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——ROM 只读存储器ROM：一旦有了信息，就不能轻易改变，也不会在掉电时丢失。除只读特性外，ROM器件有3个显著的特点：  结构简单，所以位密度高。  具有非易失性，所以可靠性高。  读速度慢。 ROM可以分为5种： 掩膜ROM  这种ROM是由制造厂家利用一种掩膜技术写入程序的，掩膜ROM制成后，不能修改。 根据制造工艺可分为MOS型和TTL型两种。MOS型ROM功耗小、速度慢，适用于一般微机系统；而TTL型则速度快、功耗大，适用于速度较高的计算机系统。 掩膜ROM是最早期的ROM品种，现在已基本淘汰。 4.3 半导体存储器的组成及工作原理——ROM 2. PROM——可编程ROM PROM虽然可由用户编程，但只能有一次写入的机会，一旦编程(写入)之后，就如掩模式ROM一样。 PROM存储器使用熔断丝，熔断丝原始状态导通(1)，将熔断丝烧断编程为0。 PROM是最早期的ROM品种，现在已基本淘汰。 3. E