第5章节 半导体存储器.ppt

第5章 半导体存储器 存储器的分类、存储器的主要性能指标 理解计算机存储体系结构 理解半导体存储器芯片的结构 理解SRAM读写原理、DRAM读写和刷新原理 掌握微机系统存储器组织 了解SRAM 2114、6264、DRAM 4116、EPROM 2764各类半导体存储器的应用特点； 第5章 半导体存储器 存储器是组成计算机系统的重要部件，它用来保存计算机工作所必须的程序和数据，并用来存放计算机在运行过程中产生的有用信息 存储器由具有记忆功能的两态物理器件组成，如电容、双稳态电路等 存储器有两种基本操作：读操作和写操作 5.1 存储器概述 存储器是计算机硬件的重要组成部分，用来存储程序和数据。 存储器一般指存储信息的硬件器件. 存储体系（系统）是指由各具特色、不同类型的存储器构成相互依存、相互支持的多个层次，以及与此相关的软、硬件。单一品种的存储器不能同时满足计算机系统的各项要求，而存储体系可以较好地做到统筹兼顾，充分发挥整体优势。  5.1.3 半导体存储器分类及性能指标 存储元概念 按制造工艺 双极型（TTL)：速度快、集成度低、 功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低 按使用属性（工作方式） 随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失 TTL和MOS存储器 TTL存储器：双极型存储器，是用TTL（Transistor-Transistor Logic，晶体管-晶体管逻辑）电路制成的存储器，其特点是工作速度快，功耗大，集成度低，因此计算机中的容量较小要求速度快的高速缓存（Cache）常采用双极型存储器。 MOS存储器：单极型存储器，是用MOS（Medal-Oxide-Semiconductor，金属氧化物半导体）电路制成的存储器，其特点是集成度高，功耗低，价格便宜，但工作速度比双极型存储器低。在计算机的主存中大量采用MOS存储器 图 半导体存储器的分类 读写存储器RAM 随机访问存储器RAM RAM：随机访问存储器（Random Access Memory），特点是存储器中的信息既能随时读出，也能随时写入，RAM中信息在关机后即消失 RAM分为DRAM和SRAM两种 SRAM：静态RAM （Static RAM），利用半导体触发器的两个稳定状态表示“1”和“0”。电源不关掉，SRAM的信息不会消失，不需刷新电路，非破坏性读出 DRAM：动态RAM （Dynamic RAM），利用MOS管的栅极对其衬底间的分布电容保存信息，DRAM的每个存储单元所需MOS管较少，因此集成度高，功耗小，DRAM中的信息会因电容漏电而逐渐消失，破坏性读出，读后需重写 DRAM信息的保存时间一般为2ms，需配置刷新或重写电路 只读存储器ROM ROM：只读存储器（Read Only Memory），使用时只能读出其中信息，而不能写入新的信息。ROM中信息关机后不消失 按写入方式，ROM分为以下几种类型 掩膜ROM（Masked ROM）：生产时已将程序、数据写入其中，用户只能读出，不能修改 PROM（Programmable ROM）：可编程ROM，PROM中的程序是由用户自行写入的，但一经写入就无法更改了，是一种一次性写入的ROM。 EPROM（Erasable Programmable ROM）：可擦除可编程ROM， EPROM可由用户自行写入程序，写入后的内容可用紫外线灯照射来擦除，然后可重新写入内容。EPROM可多次改写 E2PROM（Electrically Erasable Programmable ROM）：电可擦除可编程ROM，可用电信号进行清除和重写的存储器。E2PROM使用方便，但存取速度较慢，价格较贵 半导体存储器芯片的主要技术指标 存储容量：可寻址的存储器单元数×每单元二进制位数，例如，SRAM6264容量为8K×8，即它有8K个存储单元，每单元存储8位二进制数 存取时间：存储器访问时间，启动一次存储器操作到完成该操作所需要的时间，例如 6264-200ns 存取周期：连续启动两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间 可靠性：用故障间隔平均时间（MTBF）来表示 功耗：要求低功耗 5.2 读写存储器RAM 静态RAM基本存储电路（存储元） 6个MOS管组成双稳态电路 T1截止 T2导通为“0”， T1导通T2 截止 为“1” T1T2工作管，T3T4负载管，T5 T6T7T8控制管（其中T7T8共用） 写入：X线Y线有效，使T5T6T7 T8导通，写控制有效，使单元数据线与外部数据线连通，靠T1T2的截止与导通记录信息 读出：X线Y线有效，使T5T6T7 T8导通，读控制有效，使单元数据线与外部数据线连通，从T2端读出信息 静态RAM芯片构成