13级半导体集成电路A卷及答案.pdf

13 级 【半导体集成电路】 A 卷 试题及答案解析 题目/张华斌 答案/王嘉达 一、填空题 （共30 分，每空格1 分） 1.通常含以上的四端口器件，对于CMOS 器件而言主要指VIN 极、VOUT 极、VDD 极和VSS 极。 【P28- 图3.8】 2.按比例缩小理论主要分为三种形式：恒定电场理论、恒定电源电压的按比例缩小理论和准恒定电源电压理论  建立的基础是：电场强度保持不变。即恒定电场（constant electrical field）理论，简称CE 理论。  随着实践的应用需要，又提出了恒定电源电压的按比例缩小CV （constant voltage）理论。  准恒定电源电压的QCV （quasi-constant voltage）理论。 3.在制造CMOS 集成电路时，需要进行阱的制作，从而制造出满足要求的电路。在P 型衬底上制作n 阱，而在衬底 上制造p 阱。 【P28- 图3.8】 4.在PCB 上，由分立器件构成的电路系统的规模往往受到限制，同时还存在体积大、可靠性低及功耗高等问题。 5.MOS 反相器是MOS 数字电路的基本单元，它可以分为静态反相器和动态反相器。按负载元件和驱动元件之间的 关系又可分为有比反相器和无比反相器。 有比反相器在输出低电平时，驱动管和负载管同时导通，其输出低电平由其导通的等效电阻决定；而无比反相器在 输出低电平时，仅由驱动管所决定。 【PPT （5-1）P18】 6.集成电路的互连线有：多晶硅互连线，金属互连线和扩散层连线等，应根据电路要求，在不同的地方采用不同的 连线。 【P62-4.3.1 4.3.2 4.3.3】 7.为了确保数字电路中逻辑运算的正确性，必须解决动态电路中存在的各种问题，而在动态电路中主要存在电荷泄 漏、电荷共享 （电荷共享）、时间馈通和体效应等问题。 【P147-7.6】 8. 由于半导体集成电路的所有元件都是制作在同一基片上，所以硅片中除了我们所需要的功能外，还附加有寄生效 应，如寄生晶体管效应、寄生电容效应等。 【P9-正文第四行】 9.CMOS 反相器的功耗有静态功耗和动态功耗组成。 【P112】 10.两极CMOS 运算放大器中，为了保证系统稳定一般采用Miller 电容作频率补偿，但由于该电容的加入，又会带来 零点，这就要求对电路进行进一步的改进，改进方法有消除CC 向前耦合的补偿方案和消除RHP 零点的RC 补偿技 术。 【PPT （7-1）P77 P81 P83】 二、选择题 （共5 题，每小题3 分，共15 分） 1.判断一个MOS 管是否导通的关键是（D ）与阈值电压作比较。 【P66】 A 漏源电压 B 栅源电压 C 衬底与源间电压 D 栅漏电压 n 沟道增强型MOS 管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n 沟道MOS 管。n 沟道耗尽型MOS 管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n 沟道MOS 管。 2.某集成电路芯片，查手册知其最大输出低电平VOL （MAX ）=0.1V ，最小输出高电平VOH （MIN ）=4.5V ，最小输入低电 平VIN （MIN ）=1.5V ，最小输入高电平VIH （MIN ）=3.5V ，则其低电平噪声容限VNL = （A ）V A 1.4 B 1.0 C 3.0