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基于 DMD 的步进式无掩模数字曝光方法及装置
晶圆(芯片)加工设备
PROCESSING
基于DMD的步进式无掩模
数字曝光方法及装置
严伟 胡松 唐小萍 (中国科学院光电技术研究所,成都610209 )
1 引言
摘要:随着器件特征尺寸的继续缩小,所需掩模的成本呈直线上升
光刻技术的更新一直是微电子技术 态势,为降低掩模成本,无掩模光刻技术成为人们研究的热点。介
进步中最引人瞩目的焦点,光刻设备的 绍了一种基于DMD的步进式无掩模数字曝光方法,并对用于实现该
曝光方法装置的设计方案和具体实现进行了论述与分析。最后利用
技术研究与开发在每一代集成电路技术
厚的光刻胶进行曝光工艺实验,实验结果表明,本装置可以实现亚
更新中都扮演着技术先导的角色。传统 微米级线条的刻蚀,较高的侧壁陡度,线条拼接结果良好,可以实
的光学投影式光刻技术已经完全成熟, 现大面积数字式曝光。
而且随着分辨率增强技术(RET)的使
关键词:数字微镜阵列 无掩模光刻 照明
用,不断向着更高的分辨率延伸,如:
接近式X射线光刻技术PXL 、极紫外投
影光刻EUVL 、电子束投影光刻技术、 基于DMD(Digital Micromirror 反射镜后通过小孔后成为点光源,再由
电子束直写、离子投影光刻技术、浸没 Device) 的步进式无掩模数字曝光技术 准直镜形成平行光束,该光束经过能量
式光学投影光刻技术、纳米压印光刻技 正好可以解决这些难题,利用DMD数 积分匀化器后入射到数字微镜DMD空
术等。但是,由于昂贵的掩模成本,或 字微镜阵列替代传统的掩模版,通过控 间光调制器上(DMD是一个阵列有m ×n
是高昂的曝光装置价格以及缺乏灵活性 制器对照明面不同区域的光进行空间调 个可偏转微平面镜组成,各微镜是否偏
等因素的影响,不能满足实验室等用户 制,形成所需要的任意灰度图案。并且 转受图形发生器传过来的0-1信号控制,
对交互设计、柔性加工的需要,因此限 该方法可采用紫外光、深紫外光、甚至 不偏转的微镜组合实现所需的掩模图
制了传统投影式光刻技术及装置的应用 更短波长的极紫外光作为光源,因而具 形) ,光线经DMD反射后,通过缩小投
范围。 有很强的技术延伸性和工艺兼容性,更 影系统成像在焦平面上,即可在光刻胶
随着微细加工技术的进一步普及 易在光刻实践中得到应用,有非常好的 表面上形成我们所需的图形。
和发展,在微纳器件制作时常常更需要 应用前景。 如果采用1 024 ×768的DMD 的微
具有较强灵活性、高效、快速、低成本 镜,设每个微镜是10 μm ×10 μm的正
的光刻技术和设备,以适应小批量、多 2 曝光方法及装置
品种的生产模式。在微光学元件的生产 在本系统中精密数字曝
加工中,对于连续浮雕面形的微光学元 光系统也即基于DMD 的步
件,由于其面形需要通过曝光剂量的精 进无掩模光刻系统。精密数
确连续调制才能获得,因而使用常规光 字曝光系统是由光源、准直
刻技术无法实现,需要能调制连续曝光 镜、均匀器、数字微阵列器
剂量的光刻技术和设备,用传统的方法 (数字掩模) 、缩小投影物镜、
(即电子束光刻制作掩模,用投影光刻 工件台及控制系统组成。该
或接近接触光刻进行复制)很难满足灵 系统的原理如图1所示,由非
活、高效、低成本要求。 点光源发出的光经椭球镜和 图1 基于DMD的步进无掩模光刻系统
32 2009.03
万方数据
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PROCESSING
方形,则经1 ∶20的缩小投影系统后, 扩束准直光路、照明均
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