LED外延生长4.2.pptVIP

发展方向 * 厦门三安电子有限公司 * ηin=产生光子数/注入电子空穴对 ηin:内量子效率 ηex=取出光子数/注入电子空穴对 ηex：外量子效率 = ηin* η取出效率 GaAs: 提高外量子效率，如：加厚P-GaP，采用表面粗化技术（粗化P型层），采用bonding 技术（bonding 金属）。 GaN： 提高内量子效率，如：采用ELOG（横向外延过生长）技术，减少外延缺陷，提高晶格质量，优化MQW（多量子阱）的生长质量，达到提高光强目的，改变器件结构，提高光强和光电性能（如：在P层采用AlGaN/GaN superlatic结构）,采用光子晶体； 提高外量子效率，如：采用表面粗化技术（粗化P型层或粗化N型层或粗化衬底表面），采用ITO技术；增大芯片面积，加大注入电流（即flip-chip）　 * 厦门三安电子有限公司 * 外延粗化 PSS衬底 芯片晶柱 * 厦门三安电子有限公司 * 谢谢大家 * * * * * 厦门三安电子有限公司 厦门三安电子有限公司 * 厦门三安电子有限公司 * LED 外延生长简介 林　　峰 * 厦门三安电子有限公司 * 主要内容 半导体基础知识 MOCVD简介 外延工艺介绍 总结 * 厦门三安电子有限公司 * 半导体基础知识 基本概念 半导体 LED发光原理 * 厦门三安电子有限公司 * 同质结：组成PN结的P型区和N型区是同种材料。（如红黄光中的：GaAs上生长GaAs,蓝绿光中：U(undope)－GaN上生长N(dope)－?GaN） 异质结：两种晶体结构相同，晶格常数相近，但带隙宽度不同的半导体材料生长在一起形成的结，称为异质结。（如蓝绿光中：GaN上生长Al GaN） 超晶格（superlatic）：由两种或两种以上组分不同或导电类型各异的超薄层（相邻势阱内电子波函数发生交迭）的材料，交替生长形成的人工周期性结构，称为超晶格材料。 量子阱(QW)：通常把势垒较厚，以致于相邻电子波函数不发生交迭的周期性结构，称为量子阱（它是超晶格的一种）。 Mil 千分之一英寸＝0.0254毫米 1毫米＝1000微米（μm)=10000埃（? ） 返回 基本概念 半导体基础知识 * 厦门三安电子有限公司 * 　　　　元素半导体：Si 、Ge 　　　化合物半导体：GaAs、InP、GaN(Ⅲ-Ⅴ)、ZnSe(Ⅱ-Ⅵ) 、SiC 返回 半导体 分类： 半导体基础知识 * 厦门三安电子有限公司 * 化合物半导体优点： a.? 调节材料组分易形成直接带隙材料，有高的光电转换效率。（光电器件一般选用直接带隙材料） b.? 高电子迁移率。 c.? 可制成异质结，进行能带裁减，易形成新器件。 半导体基础知识 * 厦门三安电子有限公司 * 半导体杂质和缺陷 杂质：替位式杂质（有效掺杂） 　　　间隙式杂质 缺陷：点缺陷：如空位、间隙原子 　　线缺陷：如位错 　　面缺陷：（即立方密积结构里夹杂着少量六角密积）如层错 半导体基础知识 * 厦门三安电子有限公司 * 外延技术 LPE：液相外延，生长速率快，产量大，但晶体生长难以精确控制。（普亮LED常用此生长方法） MOCVD（也称MOVPE）：Metal Organic Chemical Vapour Deposition金属有机汽相淀积,精确控制晶体生长，重复性好，产量大，适合工业化大生产。 HVPE：氢化物汽相外延，是近几年在MOCVD基础上发展起来的，适应于Ⅲ-Ⅴ氮化物半导体薄膜和超晶格外延生长的一种新技术。生长速率快，但晶格质量较差。 MBE：分子束外延，可精确控制晶体生长，生长出的晶体异常光滑，晶格质量非常好，但生长速率慢，常用于研究机构。 半导体基础知识 为什么二极管会发光 光是能量的一种形式，一种可以被原子释放出来。是由许多有能量和动力但没质量的微小粒子似的小捆组成的。这些粒子被叫做光子，是光的最基本单位。光子是因为电子移动才释放出来。在原子中，电子在原子的四周围以轨道形式移动。电子在不同的轨函数有着不同等的能量。通常来说，有着更大能量的电子以轨道移动远离了核子。当电子从一个更低的轨道跳到一个更高的轨道，能量水平就增高，反过来，当从更高轨函数跌落到更低的轨函数里时电子就会释放能量。能量是以光子形式释放出来的。更高能量下降释放更高能量的光子，它的特点在于它的高频率。 自由电子从P型层通过二极管落入空的电子空穴。这包含从传导带跌落到一个更低的轨函数，所以电子就是以光子形式释放能量。这在任何二极管里都会发生的，当二极管是由某种物质组成的时候，你只是可以看见光子。在标准硅二极管的原子，比如说，当电子跌落到相对短距离原子是以这样的方式排列。结果，由于电子频率这么低的 情况下人的眼睛是