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电荷耦合器件CCD概述
电荷耦合器件简称CCD (Charge Coupled Device)
一种新型的MOS (Metal Oxide Semiconductor )型半导体器件,
是MOS 电容的一种应用,是按照一定规律排列的MOS 电容器
阵列组成的移位寄存器
在n型或p型硅衬底上生长一层二氧化硅层,然后,在二氧化硅
层上淀积金属电极,形成MOS器件
“栅极”通常不是用金属,而是用能够透过一定波长范围光的多
晶硅薄膜
再根据不同应用需要加上输入与输出端,就构成了CCD
在金属电极上施加按照一定周期变化的时钟脉冲,
在表面上形成存储少数载流子的势阱
用光或电注入的方法把代表信号的少数载流子注入
势阱中
再通过时钟脉冲的有规律变化,使电极下的势阱深
度作相应的变化,使注入的少数载流子在半导体表
面处作定向运动
通过反向偏置的p‐n结对少数载流子加以收集,并
进行放大和检测
CCD的突出特点:是以电荷作为信号,而不同于其
它大多数器件是以电流或者电压为信号
CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移
CCD工作过程是信号电荷的产生、存储、传输和检
测
在MOS (Metal Oxide Semiconductor )电容金属电极
上,加以脉冲电压,排斥掉半导体衬底内的多数载流
子,形成“势阱” 的运动,进而达到信号电荷(少数载流子)
的转移。
CCD 图像传感器:转移的信号电荷是由光线照射产生;
若所转移的电荷通过外界诸多方式得到,则其可以具备
延时、信号处理、数据存储以及逻辑运算等功能。
4.3 电荷耦合器件
4.3.1 电荷耦合器件的结构和工作原理
4.3.2 CCD 图像传感器
4.3.3 图像传感器的应用
4.3.1 电荷耦合器件的结构和工作原理
CCD是由按照一定规律排列的MOS 电容器阵列组成的。
金属为MOS结构上的电极,称为栅极(往往是能够投过
一定波长范围光的多晶硅薄膜)
半导体为底电极
两电极之间夹一层绝缘体,构成电容
MOS 电容的结构
1.金属 2 .绝缘层SiO2
有信号电荷的势阱
当MOS 电容器栅压UG大于开启电压Uth ,周围电子迅速
地聚集到电极下的半导体表面处,即在半导体表面形成
了对于电子的势阱。
势阱:深耗尽条件下的表面势。
势阱填满:电子在半导体表面堆积后使平面势下降。
进一步解释
特定电压Uth是指半导体表面积累的电子浓度等于体内空
穴浓度时的栅压,通常称为开启电压
当栅压UG大于开启电压Uth 时,由于表面势升高,如果周
围存在电子,将迅速地聚集在电极下的半导体表面处,
由于电子在那里的势能较低,所以,形象地说,半导体
表面形成了对于电子的势阱
当加上阶跃的栅压UGUth ,若短时间没有外来的电子充
填,半导体就处于非平衡状态。此时,称为深耗尽
势阱就是深耗尽条件下的表面势
势阱填满是指电子在半导体表面堆积后使平面势下降
电荷存储
在栅极加正偏压之前,P型半导体中的空穴(多子)的分布
是均匀的。
加正偏压后,空穴被排斥而产生耗尽区,偏压增加,耗尽区
向内延伸
当UG >Uth 时,半导体与绝缘体界面上的电势变得非常高,
以致于将半导体内的电子(少子)吸引到表面,形成一层极薄
但电荷浓度很高的反型层
反型层电荷的存在表明了MOS结构具有存储电荷的功能
进一步解释
对金属电极施加一个足够高的正阶跃电压,这个电压将排斥
电极下面硅中的多数载流子—空穴,并在表面下方形成势阱
势阱内自由载流子开始时是耗尽的
但是,这个势阱内部或附近热激发产生的少数载流子— 电子
将趋向加有正电压的金属电极而堆积在Si‐SiO2界面附近的
硅内,使这层成为富电子的n型区(称为反型层)
把金属电极下的势阱想像成一个桶,把少数载流子想像成部
分充满这个桶内的液体。这个模型在定性描述CCD的工作过
程是十分有用
但是,实际上,
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