高职 电工与电子技术课件 第7章.pptVIP

3、 反向电流IRM——— 在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。反向电流越小，管子单向导电性能越好。 4、最高工作频率fM—— 主要取决于PN结 结电容的大小 5、二极管的直流电阻 指加在二极管两端的直流电压与流过二极管的直流电流的比值。二极管的正向电阻较小，约为几欧到几千欧；反向电阻很大，一般可达零点几兆欧以上。 7.2.4 二极管的应用 1. 整流电路 单相半波整流电路图 单相半波整流电压波形图 2. 限幅电路 试分析图(1)所示的限幅电路,输入电压的波形为图(2),画出它的限幅电路的波形。 解：(1) E=0时限幅电平为0V。 时二极管导通， ， 时，二极管截止， ，它的波形图为：如（3）所示??? ? (2) 当 时，二极管导通， ，它的波形图为：如图(4)所示。当 时，限幅电平为负数，它的波形如图（5）所示。? 7.2.5 特殊二极管 1. 稳压二极管 （1）工作特性 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样。 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻起限流作用，保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 （2）主要参数 1) 稳定电压UZ 在规定的稳压管反向 工作电流IZ下，所对应的 反向工作电压。 2) 动态电阻rZ rZ =?VZ /?IZ， rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 3) 最大耗散功率 PZM 最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为 PZ= VZ IZ，由 PZM和VZ可以决定IZmax。 4) 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流IZmin 最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即PZmax =VZIZmax 。而Izmin对应VZmin。 若IZ＜IZmin则不能稳压。 2.发光二极管与光电二极管 (1)发光二极管 发光二极管是一种把电能变成光能的器件，由磷化镓、砷化镓等半导体材料制成，电路符号见下图,当有一定的电流流过时二极管就会发光，这是由于PN结的电子和空穴直接复合放出能量的结果。 发光二极管的符号与外形 (2)光电二极管 ? ? 光电二极管又叫光敏二极管，外形如图。光电二极管也是由一个PN 结构成，但是它的PN面积较大，通过管壳上的一个玻璃来接收入射光。它是利用PN在施加反向电压时，在光线照射下反向电阻由大变小来工作的。 光电二极管应用电路图 光电二极管外形图 ?????? 7.3 半导体三极管的结构与特性 7.3.1 三极管的基本结构 7.3.2 三极管的电流分配与放大作用 7.3.3 三极管极性的伏安特性 7.3.4 三极管的参数 7.3.1 三极管的基本结构 双极型三极管 又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管。 (Bipolar Junction Transistor) 三极管的外形如下图所示。 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射区 集电区 基区 三极管符号 半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 晶体管的种类很多，按结构不同可分为NPN型和PNP型； 按材料不同可分为硅管和锗管； 按照工作频率分可分为高频管、低频管等； 按照功率分，可分为大、中、小功率管等。 7.3.2三极管的电流分配与放大作用 电流放大的原因 三极管的放大作用在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来。 内部条件：内部结构上的特点。 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 内部载流子的传输过程 发射区：发射载流子。发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流 IE 。 载流子为自由电子 集电区：收集载流子。集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流 Ic 基区：传送和控制载流子。电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流 Ib 电流分配关系 ＝ ＋ 电流放大关系 ?=△IC /△IB 　电流放大作用——基极电流较小的变化引起集电极电流