第8讲 干法刻蚀.pdf

微/纳制造工艺技术 Microfabrication technology 第八讲：干法刻蚀 乔大勇 课程内容 一 干法刻蚀 一 光刻 等离子基础 反应离子刻蚀 深度反应离子刻蚀 干法刻蚀 为什么要进行干法刻蚀 腐蚀参数 湿法腐蚀 干法刻蚀 腐蚀偏差 3微米 非常小 腐蚀图形 同性或异性 可控 刻蚀速率 高，可控 可接受，可控 选择性 高，不可控 可接受，可控 设备价格 低 高 产率 高（可批量化） 可接受 化学试剂使用 大量 少量 干法刻蚀 为什么要进行干法刻蚀 两类腐蚀方法的比较 腐蚀类别 腐蚀材料 腐蚀试剂 Silicon KOH, TMAH,EDP Silicon Nirtide H PO 湿法腐蚀 3 4 Silicon Oxide HF Al H PO4 3 Silicon, Polysilicon SF6 Silicon Nitride CF 干法刻蚀 4 Silicon Oxide CHF 3 Al Cl 2 干法刻蚀 干法刻蚀包括：光子束刻蚀、中子刻蚀和等离子刻蚀等多 种形式。在半导体技术中，等离子刻蚀是干法刻蚀中最常用的 技术。 等离子体采用