第五章硅片加工-_硅片清洗.pdf

第五章 硅片表面的清洗  主要内容 1. 表面污染和清洗简介。 2. 硅片表面清洗的原理与方法。 3. 切割、研磨、抛光片清洗的工艺与流程。 1. 污染和清洗简介  1）清洗的目的和意义 2 ）材料表面的吸附污染与去除原理  3）较少吸附的主要途径 4 ）环境洁净度的概念  5）硅片表面的污染种类——清洗对象 1）清洗的目的和意义 硅片清洗的目的： 硅片加工过程中，表面会不断被各种杂质污 染，为获得洁净的表面，需要采用多种方法， 将硅片进行清洗，进行洁净化。一般每道工 序结束之前，都有一次清洗的过程，要求做 到本流程污染，本流程清洗。 意义：多次清洗工序可以保证最终硅片表面 的洁净性。 何时需要清洗 切片、倒角、磨片、热处理、背损伤、化 学剪薄，CMP等各个阶段，在工艺结束之 后，都需要进行一次清洗，尽量消除本加 工阶段的污染物，从而达到一定的洁净标 准。而随着加工的进行，对表面洁净度的 要求也不断提高，最终抛光结束之后，还 要进行一次清洗。 这些清洗，一般称为：切割片清洗，研磨 片清洗，抛光片清洗，其中抛光片清洗对 洁净度要求最高。 扫描电镜（SEM ）测量的材料表面图像 2 ）材料表面的特点 表面的特点： 最表层存在悬挂键，即不饱和键。 表面粗糙不平整。 微观表面积可能很大，而不同于宏观的表面。 存在较强局域电场。  表面的这些特点决定，表面易吸附杂质颗粒， 而被沾污。 材料表面吸附的原理 表面吸附：硅材料的表面存在大量的悬挂键， 这本身是不饱和键，因此具有很高的活性， 很容易与周围原子或者颗粒团簇发生吸引， 引起表面沾污，这就是表面的吸附。 硅表面吸附的三个因素： 1）硅表面性质，包括粗糙度，原子密度等， 这归根到底是表面势场的分布。 2 ）杂质颗粒的性质 （如大小，带电密度等）， 以及吸附后的距离。 3）温度。温度高，杂质颗粒动能大，不易被 吸附（束缚）。 硅表面的吸附形式： 1）化学吸附。 2 ）物理吸附。  1）化学吸附  定义：在硅片表面上，通过电子转移（离子 键）或电子对共用（共价键）形式，在硅片 和杂质之间，形成化学键或生成表面配位化 合物等方式产生的吸附。  主要特点：是一种较近距离的作用，成键稳 定，比较难清除。和表面最上层的原子分布 有关，更确切说，和表层电子云的分布有关。 化学吸附的特点： 1）吸附稳定牢固，不易脱离。 2 ）只吸附单原子层，而且至多吸附满整个表 层。这是因为只能在近距离成化学键。 3）对吸附原子的种类有选择性。比如Si表层 吸附O原子较容易。 4 ）表面原子密度越大，吸附越强。比如硅 （111）面的化学吸附能力最强。 物理吸附区 此区域无法化学吸附 表面化学吸附的原子 2 ）物理吸附  定义：硅片表面和杂质颗粒之间，由于长程 的范德瓦耳斯吸引作用，所引起的表面吸附。 特点：这种吸附，可以吸附较远范围，而且 较大的杂质颗粒，吸附之后，颗粒和表面的 距离比较大，结合能力也比较弱，因此杂质 也比较容易脱落。 物理吸附的特点： 1）作用距离大，从几十纳米到微米量级。 2 ）可吸附的杂质种类多。 3）作用力弱。 4 ）可释放性强。  简单说，环境越干净，杂质少，物理吸附量 就少，反之，吸附量就大，因此，环境洁净 是物理吸附的主要途径。 项目 物理吸附 化学吸附 吸附力 范德华力 化学键力 选择性 所有杂质