第8章节 光电成像器件 8.4节.pptVIP

8.4 ICCD的基本特性参数 1、光电转换特性 ICCD具有良好的光电转换特性，它的光电转换因子γ可达 到99.7%以上。 光注入电荷 （8-13） 式中，t c为CCD的积分时间，η为CCD的光电转换效率，q 微电 子电荷量，h 为普朗克常数，v 为入射辐射频率。 2.光谱响应 3.动态范围 ICCD的动态范围——像敏单元的势阱中可存储的最大电荷量 和噪声决定的最小电荷量之比。 (1)势阱可存储的最大信号电荷量 CCD势阱可存储的最大信号电荷量取决于CCD电极面积、 器件结构、驱动脉冲电压的幅度等因素。 设SCCD的电极有效面积为A，Si的杂质浓度NA为1015cm-3， SiO2膜的厚度为0.1μm，Q可近似地表示为 Q ＝C ox U G A （8-14） 式中，C ox为氧化膜单位面积的电容量， U G为金属栅极电压。 (2)噪声 ICCD中的噪声源有 ?电荷注入器件时电荷量的起伏引起的噪声 ?电荷在转移过程中电荷量的变化引起的噪声 ?检测电荷时复位脉冲导致的信号检测噪声 ①光子噪声--取决于光子的性质，成为摄像器件的基本限制 因素，对低光强下的摄影有影响。 ②电流噪声--若每个CCD单元的暗电流不一样，会产生图像 噪声。 ③胖零噪声--光学胖0噪声：取决于使用时偏置光的大小； 电子胖0噪声：由电子注入胖0机构决定。 ④浮获噪声—CCD的缺陷或能态要俘获传输过程中的电荷， 然后随机释放电荷。 ⑤输出噪声—输出电路复位过程中产生的热噪声。 4.暗电流 在正常工作的情况下，MOS电容处于未饱和的非平衡态。 随着时间的推移，热激发产生的少数载流子使系统趋向平衡。 ? 产生暗电流的原因 (1)耗尽的硅衬底中电子自价带至导带的本征跃迁 暗电流的密度为 （8-15） 式中，n i为载流子浓度，τi为载流子寿命，X d为耗尽区宽 度，一般在1~5μm范围内变化。 (2)少数载流子在中性体内的扩散 在P型材料中，每单位面积内由于此种原因产生的电流 （8-16） 式中，N A为空穴浓度，L n为扩散长度，μ为电子迁移率，n i 为本征载流子浓度。 (3)Si-SiO2界面引起的暗电流 Si-SiO2界面引起的暗电流为 I n = 10-3δs N ss （8-17） 式中，δ s为界面态的俘获截面，N ss为界面态密度。 5.分辨率 在评价面阵CCD的分辨率时，只评价它的水平分辨率， 分辨率与水平方向上CCD的像元数量有关。 ?调制传递函数MTF评价图像传递特性 CCD总的MTF取决于 ?器件结构（像元宽度、间距）所决定的几何MTF1； ?载流子横向扩散衰减决定的MTFD； ?转移效率决定的MTFT； MTF= MTF1× MTFD × MTFT * * 图8-23 ICCD的光谱响应 表8-1 CCD转移单元的平均噪声 表8-2 与CCD传感器有关的噪声 (a) 2856K钨丝灯光源 (b) 单色光源照明 图8-24 某线阵CCD的MTF曲线