考虑氧化作用的cmp接触去除模型分析.pdfVIP

２０１６年第５０卷Ｎｏ．２ １１ 考虑氧化作用的ＣＭＰ接触去除模型分析 １ １，２ １，２ ３ 蔡攀攀 ，林有希 ，任志英 ，林春生 １ ２ ３ 福州大学；福州大学摩擦学研究所；福建福光数码科技有限公司 摘要：针对目前大多数化学机械抛光（ＣＭＰ）材料去除模型没有考虑到氧化薄膜作用的现象，提出一种考虑氧 化后的芯片与磨粒之间的接触模型，该模型的建立基于接触力学理论和接触微凸体由弹性变形向弹塑性变形及最 终向完全塑性变形的转化过程，并将该模型与传统的塑性去除模型进行了对比分析。结果表明：低压ＣＭＰ精抛过 程中，磨粒在外载荷的作用与氧化后的芯片表面发生接触去除，且随着工作载荷的增大，芯片表面的压痕深度、卸 载回弹量、最大应力和材料去除量也随之增大；当载荷为１２００－４２５０ｎＮ时，芯片弹塑性接触