可调式矽基单电子电晶体之设计与制作-龙华科技大学.PDFVIP

可調式矽基單電子電晶體之設計與製作 可調式矽基單電子電晶體之設計與製作 江文煌 鄭凱安 廖哲偉 龍華科技大學電子工程研究所 摘要 面臨 MOS電晶體元件之微小化發展已接近其製程與元件物理上之極限，量子元件 的開發無疑地是一極有潛力的選擇，而矽基量子元件更具有與當前半導體元件製程相容 的優勢。本論文以 MOSFET 結構為基礎進行可調式矽基單電子電晶體的開發，透過分 離式閘極結構的設置達成控制元件尺寸與操作的目標，文中將提出針對單電子電晶體之 元件設計與製程方案。 關鍵詞： 量子元件、穿隧效應、單電子電晶體 1.前言 在文獻中此 SET中獨立島 (island)之尺寸固 定致使其在運用上受到限制。本研究之目 隨著半導體產業 90 奈米以下製程的 的在於開發可調式矽基單電子電晶體，在 開 始 ， 金 氧 半 場 效 應 電 晶 體 元 件 既有的 MOSFET 結構中插入特殊之分離 (metal-oxide-semiconductor field effect 式閘極，可透過分離式閘極的電壓形成單 transistor, MOSFET)之微小化發展已接近 電子電晶體並調整元件操作狀態。 其製程與元件物理上之極限，但是在人們 對於低消耗功率以及不斷縮小的奈米尺寸 的要求下，不斷地改善既有元件的結構與 2.單電子電晶體 製程及取代性元件的開發是必要的趨勢 2.1 操作原理 [1,2] 。 單電子電晶體與一般場效電晶體結構 在眾多可能的替代性元件中，量子元 相似，具有閘極（ gate ）、源極（source ） 件的開發一直具有高度的吸引力。目前已 與汲極（drain ），並透過閘極電壓來控制源 有之量子元件如量子線（ quantum wire ）、 極與汲極間的導電性，但不同的是在 SET 單電子電晶體（ single electron transistor, 中在源極、汲極間有一獨立島以絕緣層與 SET ）、量子干涉元件（quantum interference 二極相隔，而電子由兩端源極、汲極經由 device ）等，在元件特性與應用面已有許多 穿隧效應（tunneling effect ）進出獨立島。 成果[3-9] 。但這些元件多需在低溫下操作 獨立島中由於庫侖阻障效應 (coulomb 且材料皆以Ⅲ-Ⅴ族半導體為主，而在室溫 2 blockade) 而具有△E=e /C 之不連續電子能 下的矽基量子元件開發仍然有許多發展空