3.5 MOS逻辑门-2.pptVIP

3.3.1 MOS场效应管 3.3.2 MOS管的开关特性 截止区 恒流区 可变电阻区 截止区：VGSVGS(th)，iD = 0, ROFF 109Ω 恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大 可变电阻区：当VDS 较低（近似为0）， VGS 一定时， 这个电阻受VGS 控制、可变。 等效电路 3.3.4 CMOS逻辑门 3.3.5 CMOS电路使用常识 (3)输入输出高低电平 输出高电平UOH ：VDD min VDD-0.1 输出低电平UOL ：0V max 0.1V 输入高电平UIH ： VDD min 0.7VDD 输入低电平UIL ： 0V max 0.3VDD 4.9V 0.1V 3.5V 1.5V (4)噪声容限 扇出系数 平均传输延迟时间 功耗 UNL=UILmax－UOLmax UNH=UOHmin－U IHmin * 3.4.4 TTL集电极开路门和三态门 1、集电极开路门—OC门 +5V F R2 R1 3k T2 R3 T1 T5 b1 c1 A B C 集电极悬空 RL VCC 符号 ? A F B C ? A F B C 线与 VCC AB AB F RL F1 F2 F=F1.F2 2、 三态TTL与非门（TSL） 高电平 低电平 高阻抗状态 +5V F R4 R2 R1 T2 R5 R3 T3 T4 T1 T5 A B D EN 1 EN = 0 EN = 功能表 高电平有效 A B F EN 符号 EN A B F EN EN 低电平有效 公用总线 ０ １ ０ 三态门主要作为TTL电路与总线间的接口电路 用途： EN1、EN2、EN3分时接入高电平 EN D0 F EN A B D1 EN 总线 A1 B1 F1 EN1 EN A2 B2 F2 EN2 EN A3 B3 F3 EN3 EN 3.4.5 TTL电路使用常识 1) 74系列—标准的TTL系列，PCC=10mW，tpd=9ns。 2) 74L系列—低功耗系列，PCC=1mW，tpd=33ns。 3) 74H系列—高速系列，PCC=22mW，tpd=6ns。 4) 74S系列—肖特基系列，PCC=109mW，tpd=3ns。 5) 74LS系列—低功耗肖特基系列，PCC=2mW，tpd=9ns。 6) 74AS系列—先进肖特基系列，PCC=20mW，tpd=1.5ns。 7) 74ALS系列—先进低功耗肖特基系列，1mW，4ns。 延迟功耗积 54系列 2. TTL门电路多余输入端的处理 F=AB 1)与非门的不用输入端的处理 A B 1 悬空 2)或非门的不用输入端的处理 F=A+B A B A B A B 0 ≥1 ≥1 A B Metal Oxide Semiconductor 以 金属—氧化物—半导体场效应管为基本元件的集成门电路。 MOS管 PMOS管 NMOS管 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 电压控制元件，UGS的控制下，MOS管可以工作在截止和导通状态。 3.3 MOS逻辑门 N沟道增强型MOS管 N N P - Si D G S UDS UGS MOS管逻辑符号 S D G B uGS 0 UT (a) N沟道增强型 S D G B iD uGS 0 UP (b) N沟道耗尽型 (c) P沟道增强型 (d) P沟道耗尽型 S D G B ﹣ iD uGS 0 UT S D G B 0 UP ﹣ iD uGS PMOS： NMOS ： CMOS ： 结构简单，易于制造，成本低 速度低 工艺复杂，速度快 工艺复杂，速度快，功耗低 MOS门电路 漏极特性曲线（分三个区域） OFF ，截止状态 ON，导通状态 1. NMOS反相器 ● vo vi T1 T2 ● ● VDD 高电平 始终导通 截止 低电平 高电平 导通 低电平 3.3.3 NMOS逻辑门 2. NMOS逻辑门 NMOS与非门 A B F 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 ● ● F A T1 TL ● T2 B VDD NMOS或非门 T1 T2 ● ● ● A F VDD TL ● B A B F 0 0 0 1 0 1