碳纳米管端口的场蒸发!-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 N% % ##$ % ， ， ， @5* GN% :5 G% ‘)*Y ##$ （ ） ###-’K###$N% #% LNKM-#M Q9;Q [E^_C9Q _C:C9Q !##$ 9,6 G [YB G _52 G 碳纳米管端口的场蒸发! ! 柏 鑫 王鸣生 刘 洋 张耿民 张兆祥 赵兴钰 郭等柱 薛增泉 （北京大学信息科学技术学院电子学系，纳米器件物理与化学教育部重点实验室，北京 ##$%） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ##% ’ ##% $ 将单根多壁碳纳米管（ ， ）组装在 针尖上并送入超高真空场发射 场离子显 ()*+,-./**01 2/3456 6/65+)40 789:; 8 微镜（ ， ）进行场蒸发及场发射研究 结果表明，场蒸发 =*+3/,? @/2))( A,0*1-0(,BB,56 A,0*1-C56 (,235B25D0 =E@-AF7 AC7 G 可以降低 $ J 的逸出功，从而增强其场发射能力 估算 的蒸发场低于 · ，且在此场强下 789:; G 789:; H’ I # @ 2( 的平均蒸发速率为 · J 定性讨论了 的蒸发场大大低于 的理论值的原因 首先，通过场解吸获 K HL 6( (,6 G 789:; 9 G 得的清洁端口上有较多悬挂键，平均每个 原子的配位数较小，所以升华热较低 其次，可能存在于 中的 9 G 789:; E 原子会在强场下碰撞端口的 原子，使其更易蒸发 以上结果显示了利用场蒸发剪短碳纳米管从而改善其场发射 9 G 特性的可行性G 关键词：碳纳米管，场蒸发，场发射 ： ， ， !## %K%# ML$ %NO 无定型碳“焊接”到 针尖上，有关实验用样品制备 8 的更进一步信息可见文献［ ］组装好的样品再转 H 引 言 K