详解第二章 电阻式传感器.pptVIP

3.四臂差动工作(全桥测量）　 进一步提高输出灵敏度（为单片测量的4倍），而且实现温度补偿。 由前已经导出： 讨论 １．串联半桥线路　 1、串联后电桥输出反映了几片应变片的平均应变。不会因为串联而增加应变量。 2、由于桥臂电阻增大，在一定电流下，可提高电压，而使指示应变增大。 （三）应变片的串联与并联接线法 讨论 2.并联半桥电路　 1、并联ｎ片的应变等于单片应变，所以不会提高应变输出电压。 2、但当应变片工作电流一定时，桥路输出电流可提高ｎ倍。 讨论 例题： （3）试分别求非线性误差。 四.电阻应变式传感器 （一）应变式传感器的组成 应变片 1.受力构件 2.弹性元件 弹性元件设计主要要求：灵敏度高，刚度够足，线性好，固有振动频率高。 （二）电阻应变式力传感器 测量范围广： 精度高： 线性好；工作性能稳定、可靠 + 电桥电路 柱式力传感器　 其弹性元件如右图 应变片粘贴处要大的曲率半径或平面，以保证粘贴质量。传感器对称布片，纵横向贴片，并用桥路连接方式　如下图： F R1 R1’ R4 R4’ R2 R3 R2’ R3’ F 由式(3-34)桥路输出为： 传感器所受力与输出电压成正比关系；灵敏度提高了 倍；消除温度误差、横向力的影响和扭力的影响。 （三）电阻应变式加速度传感器 　　　结构：如图　　 1－质量块 2－应变梁 3－阻尼 4－保护块 5－应变片 6－温度补偿电阻 也可以抽象成如下模型：如图所示 设Ｘ为质量块相对于壳体的位移，则 整理可得 基座作谐振运动 传递函数 幅频特性： ａ．质量块与壳体（被测体）相对位移与　　　　　　　壳体（被测体）加速度成线性关系。 ｂ．固有频率 传感器灵敏度低 讨论 设计时，应尽量减小固有频率，以提高灵敏度。 §2-2半导体应变片及压阻传感器 （一）阻效应及半导体应变片： 　对于一条半导体材料受到应力作用后，其电阻相对变化为： 式中式中π为压阻系数 　　即单晶体硅材料在受到应力作用后，其电阻率发生明显变化，这种现象称为压阻效应。 压阻效应： （二）压阻式压力传感器 　　　　结构　如图ａ　主要元件硅杯　如图ｂ 当圆形膜片半径电阻几何尺寸，则 式中 在周边固定的圆形硅膜片上： 径向应力 切向应力 而晶体的压阻系数又与晶向有关，可以计算或查表得出 现按右图在Ｎ型硅膜片上扩散Ｐ型硅电阻，则每个电阻： 内电阻 外电阻 适应安排位置，使 即可组成差动电桥 四.压阻式加速度传感器　如图 当质量块受加速度作用时，硅梁根部所受应力（单轴应力) 式中a为加速度 （受纵向力） 电流于应力同向 （受横向力）： 构成满足电桥的理想条件。 电流与应力垂直 第二章 电阻式传感器 §2-1电阻应变式传感器 非电量 应变 电阻应变片 弹性原件 电阻变化 传感器 一、概述 已知导体（一根圆截面的金属丝）的电阻： §2-1电阻应变式传感器 二、金属电阻应变计 电阻—应变效应：金属导体（电阻丝）的电阻值随其变形（伸长或缩短）而发生变化的一种物理现象。 d l F 金属丝的原始电阻 金属丝的原始电阻率 金属丝的原始长度 金属丝的原始横截面积 （一）工作原理 相对变化： 例如当金属丝被拉伸了的了dl，截面积缩小了ds，而电阻率变化了dp，则： 引入轴向相对变形（或称为应变） ，则有： 或： 应变灵敏系数K 金属材料的电阻的相对变化与应变的关系 讨论： 1、应变的灵敏系数K受二个因素的影响： 几何形状变化的影响 电阻率发生变化的影响 2、 对于金属材料： 对于半导体材料： （二）结构与分类 1、结构 电阻丝-是应变片的转换元件； 基底-将传感器弹性体表面的应变传递到电阻丝栅上的中间介质并起到电阻丝与弹性体之间绝缘和保护的作用； 黏合剂-将电阻丝与基底粘贴在一起； 引出线-连接测量导线。 2、分类 应变计 金属式 半导体式 丝式 箔式 薄膜式 薄膜型 扩散型 PN结极其它形式 （1）金属丝式应变计： 转换转换元件：丝栅状的电阻丝，可以作成V，U，H形状。 U型-弯头呈半圆型，制造简单，但易产生 “横向效应”误差。 V，H型-可以减小“横向效应”误差。 （2）箔式应变计： 敏感栅是通过光刻、腐蚀工艺制成。特点： 线栅尺寸准确、均匀，电阻值离散程度小，可以制成任意形状； 尺寸小（0.2mm），厚度薄（0.003~0.01mm），可饶性好； 蠕变小，疲劳寿命高； 表面积大，散热好，电流通过力大。 （3）薄膜式应变计： 薄膜：0.1um 厚膜：25um 金属薄膜应变计采用真空溅射或真空沉积等方法制成。 特点：灵敏度高（比丝式高1~2个数量级以上）；具有负电阻温度系数，稳定性较差。 （三）工作特性和主要参数 1、几何尺寸：灵敏轴线、