外磁场下电子—声子相互作用对球形量子点杂质态的影响.pdfVIP

内蒙古大学硕士学位论文 第一章引言 §1．1国内外研究概况 近年来，随着半导体纳米技术的飞速发展，人们已经能制备出具有一个电 子的DeBrolie波长大小的器件一量子点．这种零维体系的物理行为与原子极为 相似，所以被称为“人造原子”，电子在其中的能量状态呈类似原子的分立能 级结构it-3】．量子点所具有的新颖的光电性质与输运特性，成为量子功能器件研 究中的一个热点领域，其潜在的应用前景引起了人们广泛的关注和重视[4-9]．量 子点系统像半导体超晶格、半导体量子阱、量子线一样在半导体物理、材料物 理科学、微电子和光电子领域得到了广泛的研究[10-12】． 半导体掺杂对改变材料的电学、光学性质极为重要，因此对半导体中杂质 态问题的研究具有重要的意义．近年来，对量子点中杂质态的理论研究取得了 F 很大进展[13-31】．BetancurJ等人[131采用数值求解薛定谔方程的方法研究了任 GaAs．GaAIAs 意形状势垒 球形量子点的基态和激发态的能 量．Porras．Montenegro 子点中施主杂质在量子点中心的基态束缚能及不同势垒情况下球形量子点中 施主离子位于不同位置时对束缚能的影响．结果显示：在无限深势阱中，结合 能随量子点半径减小而增加；在有限深势阱中，结合能随量子点半径的减小先 增大到一个最大值然后再减小到一个有限值，而且该材料中结合能的数值比 J GaAs．GaAlAs量子阱和量子线中要大的多．ZhuL等[16-17】采用数值求解薛定 谔方程的方法研究了不同势垒高度下GaAs．GaAIAs球形量子点中施主杂质基 态和激发态束缚能的精确解，以及各能级束缚能对杂质位置的依赖关系．Mikhail IF 态结合能与势垒能量的关系．文献【20]研究了方形量子点中的杂质态束缚能对 C 量子点体积和杂质位置的依赖关系。最近，XiaX等【22】利用变分法研究了 内蒙古大学硕士学位论文 物半导体在器件应用方面将有很重要的理论指导意义．BaratiM等[23】利用微扰 结合能与椭球率成反比；而结合能随椭球尺寸的变化与球形量子点的情况类 似． 外加磁场可以改变杂质态的能级和波函数，调制载流子的能谱结构【241．可 以调制施主杂质态的能级差，当能级差等于声子的能量时，会发生共振现象． 1】． 人们对外磁场下不同种类量子点的杂质态进行了一系列实验和理论研究[25-3 RibeiroF A J【281和Terzis Z 子点的杂质态的性质，得出外磁场增强了杂质态结合能．XiaoG【30】等研究了 外磁场下球形量子点的类氢杂质态的性质，也得出了外磁场增强了杂质态结合 能和库仑相互作用的强度，并且他们发现当杂质从量子点中心移动到量子点表 面时基态结合能存在一些振荡．Corella．MaduenoA等…】也讨论了外磁场下量 子点的类氢杂质态的性质，但是他们计算的结合能不存在振荡．原因是他们采 用的波函数为≯(，．)=(R—r)e咖(R为量子点半径，，．为电子的位置)，这个波函数也满足 连续性条件．但是这个波函数不能正确反映单电子在球量子点中的空间局域效应，这种效应 应该用球贝塞尔函数来表达154】． 电子．光学声子相互作用是影响极性材料物理性质的一个重要因素，在强 离子性半导体中，载流子和纵光学声子之间存在着较强的相互作用，这种相互 作用对半导体材料的光学和输运性质起着决定性的作用．理论上已经证明，电 子受到的束缚愈强，电子．声子相互作用的影响就愈大【321．近年来，人们对不 M 同形状量子点中的极化子效应作