载流子的统计分布.pdf

半导体中载流子的统计分布（1） 主要内容 一、状态密度 二、分布函数 三、载流子浓度 四、本征半导体载流子浓度 一、 状态密度 1.热平衡状态 Ec E D 产生 复合 Ev 在一定温度下，存在： 产生载流子过程 —电子从价带或杂质能级向导带跃迁； 复合过程 —电子从导带回到价带或杂质能级上。 产生数＝复合数 即热平衡状态 问题：热平衡时，如何求半导体中的载流子浓度? 对确定的材料,载流子浓度与温度有关,与掺杂 有关；分别讨论本征半导体和杂质半导体 途径：半导体中,允许的量子态按能量如何分布 —求状态密度g(E) + 载流子在允许的量子态上如何分布 —讨论分布函数f(T), 从而得到载流子浓度n(T)及p(T) 2. 状态密度 讨论： 半导体中,允许的量子态按能量如何分 布—求状态密度g(E) (1) 状态密度公式 (2) 态密度有效质量 （1）定义 假设在能带中能量E与E+dE之间的能量间隔 dE 内有量子态dZ个，则定义状态密度g(E)为： dZ g(E) （1） dE 推导状态密度函数方法： a. 求出k空间上k取值点密度（等于半导体的体积V ）。 * b. 求dE对应的k空间上的体积dV 。 * c. dZ=2 dV dV 。 k空间上k取值点密度： 根据周期性边界条件，k K的取值点分布 空间中电子的每个k为： n kx x (nx 0, 1, 2,) L n ky y (ny 0, 1, 2,) L n kz z (nz 0, 1, 2,) L 由此，可知k取值点密度为V 。则电子在k空间 中的量子态密度是2 ×V 。 （2）球形等能面情况 2 2 h k E k (E )  假设导带底在k=0处，且 C * （2 ）