射频磁控溅射法制备zno薄膜.ppt

溅射工艺流程图 ZnO纳米薄膜的表征 1. 表面形貌 (surface morphology) 2. X射线衍射谱 (X-Ray Diffraction) 3. 透射吸收谱 (transmission and absorption) 4. 光致发光谱 (Photoluminescence) 图1 样品的AFM图 左：RT 右：250℃ 随衬底温度的升高，晶粒尺寸变大。 这种变化是由于薄膜的临界成核密度随沉积温度的增加而下降,导致晶粒尺度增加. 采用原子力显微镜观察表面形貌 图2 ZnO薄膜的XRD图 采用X射线衍射仪对薄膜的晶格结构、物相进行分析 XRD图显示： （1）样品均出现了2θ≈34.75°的较强的(002)衍射峰，说明薄膜具有垂直于基片平面较好的c轴择优取向 （2）2、3、 4号样品中出现了2θ≈72.5°的微弱的(004)衍射峰，在4号样品中出现了2θ≈32.2°的微弱的(100)衍射峰，其中(004)峰为(002)晶面的次级衍射峰。 （3）在衬底温度从RT升至250℃的过程中，(002)衍射峰相对强度随衬底温度升高而增加，薄膜c轴择优取向变好，而当温度超过250℃以后，(002)峰相对强度变小。 解释：因为玻璃衬底与ZnO薄膜的热膨胀系数不同，当衬底温度接近350℃时，薄膜表面出现了细微裂纹，表面粗糙度增大，导致薄膜c 轴取向性变差。 图3 (002)衍射峰的FWHM和晶粒尺寸随衬底温度的变化关系 样品晶粒尺寸的计算采用Scherrer公式: 其中λ为X射线波长(约1.5406?),θ和β分别为布喇格衍射角及半高宽，计算所得的晶粒尺寸分别为7.78nm，8.67nm，13.65nm，17.36nm。 图3显示： (1) 随着衬底温度从RT逐渐升至350℃，(002)衍射峰半高宽逐渐减小 ; (2) 晶粒尺寸随衬底温度的升高逐渐长大，从室温下的7.78nm逐渐长大至17.36nm; 当衬底温度较低时，溅射的锌原子和氧原子在衬底上吸 附后，由于原子的能量较低，无法迁移到能量最低的晶格位 置，薄膜的缺陷较多，因此薄膜的(002)取向性较差，衍射峰 相对强度较弱。衬底温度的升高为薄膜表面原子或分子的迁 移提供了能量，衬底温度升高，原子获得足够的扩散激活能， 迁移率增大，较为有序的占据晶格位置，使得具有较低表面 能的晶粒由于温度升高得以长大，薄膜的结晶质量变好，而 当衬底温度接近350℃时，虽然晶粒尺寸进一步增大，但由 于薄膜表面可能出现细微裂纹而导致薄膜的c轴取向性变差。 解释： 图4 不同衬底下ZnO薄膜的透射吸收谱 (a) RT; (b) 150℃; (c) 250℃; (d) 350℃ 采用UV-2550 紫外可见分光光度计 透射吸收谱显示： (1) 所有样品在可见光区的平均透过率达到90%以上，由于ZnO的能隙比可见区的能量高，因此在可见光区的光吸收主要为自由载流子吸收，而ZnO薄膜的自由载流子迁移率很高，致使自由载流子吸收系数很小，所以在可见区样品表现 出很高的光透过率。 (2) 所有的样品在紫外区均有较强的光吸收且随着衬底温度的升高，其紫外吸收系数增大，紫外吸收能力增强。 为了确定我们所作样品的光学带隙，应用Tauc公式: 其中α为吸收系数，h为普朗克常数，A为常数，hv为光子能量，Eg为光学带隙，对于直接带隙半导体n=1/2。通过线性拟合(ahv)2与hv曲线上的α=0点可得到光学带隙Eg 。 图5所示为不同衬底温度下(ahv)2 与光子能量hv的关系曲线图，拟合结果如表1中的Eg(opt.)所示。可以看出，随着衬底温度从室温至350℃逐渐升高，光学带隙值Eg(opt.)由 3.293eV逐渐减小为3.208eV，吸收边发生了红移。 图5 R.E. Marotti 等指出，对于 ZnO 薄膜，当晶粒尺寸较小时，量子限域效应可能会引起吸收边的移动，导致薄膜光学带隙发生变化。这种效应使它在多晶薄膜太阳能电池设备中作为透明导电层时，在调节薄膜材料的吸收边、提高薄膜的透过率等方面发挥重要作用。所以，我们采用量子限域模型对薄膜样品的光学带隙进行分析。 表1 ZnO薄膜的晶粒尺寸和光学带隙 半导体纳米晶体是尺寸小于100nm的超微粒。在纳米尺度范围内，半导体纳米晶体随着其粒径的减小，会呈现量子化效应，显示出与块体不同的光学和电学性质。块状半导体的能级为连续的能级，如图6(a)所示。当颗粒减小时，半导体的载流子被限制在一个小尺寸的势阱中，在此条件下，导带和价带过渡为分立的能级如图6(b)所示，因而使得半导体有效能级差增大，吸收光谱阈值向短波方向移动，这种效应就称为量子尺寸效应。 图6 块体半导体和半导体纳米