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溶液法铝诱导晶化制备多晶硅薄膜!-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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溶液法铝诱导晶化制备多晶硅薄膜!
罗 孟志国 王 烁 熊绍珍
（南开大学光电子器件与技术研究所，天津 !#$）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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采用铝（ ）盐溶液作为诱导源进行了非晶硅晶化成多晶硅的研究 光学显微镜观测与 光谱分析表明，
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合适配比的铝盐溶液能够将非晶硅予以诱导晶化 采用剥层 测试分析，探究了 盐溶液与硅表面可能的化学
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反应以及随之发生的硅 铝层交换的过程 最后对溶液法诱导晶化的机理进行了讨论
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关键词：铝诱导晶化，多晶硅薄膜，溶液法
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）技术，不仅能在低温下 （ 以下）制备高
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$9 引 言 晶化率的多晶硅薄膜，而且相对于镍诱导晶化，它制
备出的薄膜不含重金属残留，一部分铝元素可以留
在廉价玻璃衬底上低温（ 以下）制备多晶 在多晶硅薄膜内充当受主杂质、其晶化层起掺杂层
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的作用! T 4
硅薄膜，由于其在大面积电子器件，特别是太阳电池 ；由此制备出的 多晶硅层有大晶粒 和
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