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第三章 存储系统 　 3．1 存储器概述 3．2 随机读写存储器 3．3 只读存储器和闪速存储器 3．4 高速存储器 3．5 Cache存储器 3．6 虚拟存储器 3．7 存储保护 　 作业： 返回 3．1 存储器概述 3．1．1 存储器分类 存储器是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。 概念：存储位（存储元）、存储单元、存储器。 存储器分类方式： ? 按存储介质分 ? 按存取方式分 ? 按存储器的读写功能分 ? 按信息的可保存性分 ? 按在计算机系统中的作用分 3．1．2 存储器的分级结构 理想的存储器应该是容量大、速度高、成本低，但现实中没有这样的存储器，因此就要使用分级存储体系。 三个层次：（寄存器）→Cache→主存→辅存，按照这个顺序速度递减，容量大，成本低。 3．1．3 主存储器的技术指标 存储器编址方式：按字编址、按字节编址。 在一个存储器中可以容纳的存储单元总数通常称为该存储器的存储容量。 存取时间又称存储器访问时间，是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。 存储周期是指连续启动两次独立的存储器操作（如连续两次读操作）所需间隔的最小时间。通常，存储周期略大于存取时间。 存储器带宽是单位时间里存储器所存取的信息量，单位为位／秒或字节／秒。 　 3．2 随机读写存储器 常用的RAM按半导体材料分有双极型（TTL）半导体存储器和金属氧化物（MOS）半导体存储器两种。 根据存储信息机构的原理不同，又分为静态MOS存储器（SRAM）和动态MOS存储器（DRAM）。 半导体存储器的主要优点是存取速度快，存储体积小，可靠性高，价格低廉； 主要缺点是断电时读写存储器不能保存信息． 3．2．1 SRAM存储器 存储元的结构图，见图3.2。三种操作：保持、读出、写入。 SRAM存储器的组成，见图3.3，包括存储体、地址译码器、驱动器、I/O电路、片选与读／写控制电路、输出驱动电路。 SRAM与CPU的连接：位扩展法、字扩展法。要求掌握。 SRAM的读写周期，图3.8，注意，地址、数据以及控制信号的先后顺序。 3．2．2 DRAM存储器 SRAM的外围电路简单，速度快，但其使用的器件多，集成度不高。DRAM则可大幅度提高集成度。 四管DRAM和单管DRAM的结构见图3.10 DRAM的操作：读、写、刷新。 DRAM的实例见图3.11 DRAM的刷新方式：集中式、分散式、异步式。 DRAM的控制电路见图3.16，主要包括刷新计数器、刷新／访存裁决、刷新控制逻辑等。 DRAM控制器的组成：地址多路开关、刷新定时器、刷新地址计数器、仲裁电路、定时发生器。 3．2．3 主存储器组成实例 3．2．4 高性能的主存储器 EDRAM的特点，在DRAM芯片上集成了一个小容量的SRAM作为Cache。 　 3．3 只读存储器和闪速存储器 3．3．1 只读存储器 ROM的工作方式：给定一个地址码，得到事先存入的确定数据。 ROM的优点：具有不易失性，即是电源被切断，ROM的信息也不会丢失。而使用SRAM进行存储，需要有电池等设备。 ROM的分类： ? 掩模式只读存储器：优点：可靠性高，集成度高，价格便宜。缺点：不能重写。 ? 一次编程只读存储器：分为PN结击穿型和熔丝烧断型两种。 第一种写入原理属于结破坏型，即在行列线交点处制作一对彼此反向的二级管，它们由于反向而不能导通，称为0。若该位需要写入1，则在相应行列线之间加较高电压，将反偏的一只二极管永久性击穿，留下正向可导通的一只二极管，称为写入1。显然这是不可逆转的。 更常用的一种写入原理属于熔丝型，制造时在行列交点处连接一段熔丝，即易熔材料称为存入0。若该位需写入1，则让它通过较大电流，使熔丝熔断。显然这也是不可逆转的。 ? 多次编程只读存储器：分为EPROM、EEPROM、FLASH ROM EPROM原理： 图3.21(b) EPROM实例：表3.2 2716的工作模式 例3为一计算机存储器的典型配置，包括ROM和RAM，要求掌握其逻辑结构图的画法。 3．3．2 闪速存储器 闪速存储器的存储元电路是在CMOS单晶体管EPROM存储元基础上制造的，因此它具有非易失性。不同的是，EPROM通过紫外光照射进行擦除，而闪速存储器则是在EPROM沟道氧化物处理工艺中特别实施了电擦除和编程次数能力的设计。 闪速存储器的性能：表3.3 闪速存储器的特点： ? 固有的非易失性 ? 廉价的高密度 ? 可直接执行 ? 固态性能 闪速存储器的逻辑结构图3.25，包含