利用RTTOV7快速辐射传输模式模拟风云二号红外和水汽成像通道辐射率的研究.pdfVIP

红外与毫米波学报 25卷 IR 同类型的缺陷信息．基于载流子数涨落和迁移率涨 别测试了老化前后CaAlAs IRLED 落机制，建立了一个GaAlAs 1／f噪声的简单 图2所示．该图表明，功率老化使得皿D的动态电 模型，基于该模型的分析结果表明，小电流区的1／f 阻增加，开启性能恶化．图3给出了被测器件在偏置 IR 噪声特性反映了GaAlAsLED体区陷阱特征，大 电流区的l“噪声反映了激活区陷阱特征．老化后 电压噪声功率谱密度与频率的关系，在双对数坐标 1／f噪声幅值的增加归因于功率老化诱生的GaAlAs中呈现明显的l／f噪声特性，且随着偏置电流的增 IRLED界面陷阱和表面陷阱．因而，1／f噪声可用来加，老化前后功率谱密度的相对变化量也呈现不同 探测功率老化对GaAlAsIRⅡD器件不同区域的损 的增加趋势．通过提取1“电流噪声幅值B发现， 伤，本文的研究结果为其提供了实验和理论基础． 老化前后的B均与昂成正比，但在不同的输入电流 范围，指数y有着不同的值，如图4所示．当偏置电 1实验 流，，在3mA以下时，7—1；随着，，的增加，B值趋 被测器件为北京瑞普公司的GaAns双异质结于饱和，y—o；当，，大于5mA时，B值急剧增加，y 一2．同时，该图也表明在低电流区老化前后的1／f 红外二极管，老化条件为：温度r=300k、偏置电流 噪声幅值没有明显的增加，只有当偏置电流，，大于 厶=10mA，老化时间f=168h．低频噪声测试采用西 安电子科技大学微电子研究所研制的基于虚拟仪器 6mA以后，1／f噪声幅值才急剧增大，且相对老化前 的电子器件低频噪声测试系统01噪声测量电路如 增大了2个数量级． 图l所示，电源采用干电池组，改变1k的串连电阻 3分析与讨论 可调节IRED的偏置电流．经过PARcll3低噪声前 置放大器的放大，被测器件两端的电噪声进入计算 双异质结IRLED通常由一个同型异质结和一 机控制的高速实时采集系统，分析后提取噪声参数． 2实验结果 为了反映功率老化对被测器件性能的影响，分 矿输 攀飞 图1噪声测量偏置电路 foT Fig．1Biasci∞uitnoi靶measIIrements 《惨 11“2…22 1。”1姐 1箭1‘2”28 图2老化前后的I—V特性 2 I—VCharactednicsbeforeandafte7 aging Fig power