数字电子技术基础 二版 张克农 2.1 集成逻辑门电路.pptVIP

2.1 半导体器件的开关特性 上页 下页 后退 模拟电子 数字电子技术基础 上页 下页 返回 三极管这种在外加电压作用下，截止和饱和后的稳态模型，它反映了三极管的静态开关特性。 如果三极管只工作在截止状态，管子截止，相当于开关断开。 如果三极管只工作在饱和状态，管子饱和导通，相当于开关接通。 2.1.1 双极型三极管的开关特性 1. 开关特性 a. 三极管开关电路图 Rc Vcc RB V1 1V V2 2V uO 10k? + － 1k? uI + － S 5V b. 三极管开关电路波形图 o o o uo iC ICS 0.9ICS 0.1ICS VCC ton toff V2 V1 t t t uI a) 开关时间 延迟时间td ——从uI上跳开始到iC上升到0.1ICS所需要的时间 上升时间tr ——iC从0.1ICS上升到0.9ICS的时间 接通时间ton ——td与tr之和 o o o uo iC ICS 0.9ICS 0.1ICS VCC ton toff V2 V1 t t t uI 存储时间tS——iC从ICS下降到0.9ICS的时间 关断时间toff ——ts与tf之和 下降时间tf——iC从0.9ICS下降到0.1ICS的时间 o o o uo iC ICS 0.9ICS 0.1ICS VCC ton toff V2 V1 t t t uI 开关时间——三极管的接通时间ton、关断时间toff，统称为开关时间。 开关时间越短，开关速度也就越高。 管子的结构工艺，外加输入电压的极性及大小 。 b) 影响开关时间的因素 c) 提高开关速度的途径 制造开关时间较小的管子，设计合理的外电路。 通常toff ton、ts tf。因此控制三极管的饱和深度，减小ts是缩短开关时间、提高开关速度的一个主要途径。 给三极管的集电结并联一个肖特基二极管(高速、低压降)，可以限制三极管的饱和深度，从而使开断时间大大缩短。 将三极管和肖特基二极管制作在一起，构成肖特基晶体管，可以提高电路的开关速度。 (a) 电路图； (b) 电路符号 2. 三极管反相器电路 RB1 uo 6.8k? + － (A) (L) uI + － RC 330? RB2 22k? VBB 5V +VCC (+5V) 反相器电路 工作原理： a. 当uI高电平时 晶体管饱和导通 输出uO?0 b. 当uI低电平时 晶体管截止 输出uO?VCC BJT工作状态 uI uO 低 截止 高 高 饱和 低 非门电平表 RB1 uo 6.8k? + － (A) (L) uI + － RC 330? RB2 22k? VBB 5V +VCC (+5V) 反相器电路 反相器的输出与输入关系可表示为 2.1.2 场效应管的开关特性 1. MOS场效应管(MOSFET)的开关特性 场效应管（FET）也叫单极型晶体管。按结构分为两大类型，结型场效应管和绝缘栅场效应管。 绝缘栅场效应管也称为MOS场效应管。 MOS场效应管又有增强型和耗尽型两种，每一种又有N沟道和P沟道二种。 数字电路中普遍采用增强型的MOSFET。 当漏源电压uDS较高时： 当uGS大于UT，MOSFET工作在变阻状态，电压uDS较小，管子相当于开关接通。 栅源电压uGS小于开启电压UT时， iD=0， MOSFET处于截止状态，管子相当于开关断开。 增强型NMOSFET的工作原理： g s d uGS uDS iD NMOSFET的开关模型 uGS UT uGS UT g s d 截止状态 uGS + _ g d s s uGS + _ g d s s 变阻状态 MOS场效应管的开关速度往往比双极型管低，但随着工艺的改进，集成CMOS电路的速度已和TTL电路不差上下。 在NMOS增强型管的栅极加上一个等于电源值VDD的电路最高电压，使管子可以很好导通。 如果输入uI电压允许在0V到VDD之间变化，输出电压uO的范围被限制在0V和VDD-UTN之间，输出电压达不到电源值。 结论：NMOS传输一个强逻辑0，传输弱逻辑1。 PMOS传输一个强逻辑1，传输弱逻辑0。