电子陶瓷ch2.2典型低介装置瓷.pdf

电子材料 国家级精品课程 §2-2 典型低介装置陶瓷 1、滑石瓷 共价键\ 离子键 1 ）滑石的结构 复合层 滑石瓷分子式：3MgO·4SiO ·H O 2 2 分子键 滑石矿为层状结构的镁硅酸盐，属 单斜晶系，[SiO ]四面体联结成连 4 续的六方平面网，活性氧离子朝向 一边，每两个六方网状层的活性氧 离子彼此相对，通过一层水镁氧层 联结成复合层。 ‹#›/228 §2-2 典型低介装置陶瓷 2 ）滑石的相变 120~200℃，脱去吸附水 1000℃，脱去结构水，转变为偏硅酸镁（MgSiO3 ） 3MgO 4SiO H O 3(MgO SiO ) SiO H O 2 2 2 2 2 1557℃，再次失去Si，生成镁橄榄石（Mg SiO ） 2 4 2(MgO SiO ) 2MgO SiO SiO 2 2 2 ‹#›/228 §2-2 典型低介装置陶瓷 偏硅酸镁 MgO SiO Mg (SiO )2 2 3 呈单链状辉石结构，它有三种晶型： 1200C 700C MgO SiO MgO SiO MgO SiO 2 2 2 顽辉石 原顽辉石 斜顽辉石 缓变（室温） 高温稳定相（原顽辉石）低温稳定相（斜顽灰石） 同质异构 斜方（正交）单斜 原顽辉石是滑石瓷的主晶相，有少量斜顽辉石 ‹#›/228 §2-2 典型低介装置陶瓷 3 ）滑石瓷的特点 • 介电常数很低：=6~7 • 介质损耗很小：tanδ= （1~7 ）10-4 • 工艺性能好 • 资源丰富，产品成本低 ‹#›/228 §2-2 典型低介装置陶瓷 4 ）滑石瓷存在的问题及解决方案 老化 开裂 烧结温区过窄 ‹#›/228 §2-2 典型低介装置陶瓷 老化（粉化）:储存和使用期间