程序升温脱附.PPT

20oC 5％O2再氧化 后，只有?峰；随着 再氧化温度提高， ?和?峰依次出现。 说明三个铜物种的 再氧化次序： ??? PdO/CeO2催化剂的还原性能 纯PdO： 55oC, 一 个峰 所有PdO/CeO2: 都只有一个TPR峰 随着负载量增加，向 低温方向移动，且变 窄。 CeO2中存在晶相和 非晶相。低负载量， 以非晶相存在。 PdO/CeO2催化剂的还原性能 CO作为还原剂在于 消除氢溢流的存在。 ?5％Pd 存在三个CO脱附峰 ?、?和? =2%Pd 只存在?和?峰； ?2％Pd 只有?峰 移向高温 Cu-Pd双金属氧化物间的相互作用 CuO-PdO/CeO2与 PdO/CeO2相比，峰温 提高，峰形不变。 CuO-PdO与CuO/CeO2 明显不同。 Cu的存在抑制了Pd的 还原。 Pd的存在促进了Cu的 还原。 CuO/CeO2： ?峰： ER=66 (kJ/mol) ?峰： ER=82 (kJ/mol) PdO/CeO2： ER=70 (kJ/mol) CuO-PdO/CeO2： ER=68 (kJ/mol) CeO2-ZrO2间的固相反应 随着球磨时间增加， 高温峰下降，低温 峰上升，向高温移 动。 XRD：长时间球磨 后，CeO2-ZrO2间 发生相互作用。 固熔体： Ce0.5Zr0.5O2形成。 4. 程序升温氧化 程序升温氧化(TPO)，在程序升温过程中催化剂表 面沉积物(或吸附物等)发生的氧化反应。 装置与TPD装置相同。 采用氧化性气体替代惰性气体。 5?10%O2-95%He 其它与TPR相同。 研究金属催化剂的氧化性能、催化剂表面积炭及催 化剂表面吸附有机物的氧化性能。 负载铜催化剂的氧化行为 TiO2和Al2O3上 Cu的TPO不同 ?200oC Cuo Cu+ 第三峰(300oC)： Cu+ Cu2+ TiO2载体上负载少量金属Pd 后的Cu的氧化温区不变，峰 形变化大，峰重叠明显。高 温峰降低30oC； Al2O3载体上负载少量金属 Pd后的Cu的氧化峰面积增 加了1/3, 并使得分三步氧化 变得模糊了。 Cuo Cu+ Cu2+ Co/Al2O3催化剂表面积炭的研究 CH4/CO2中积炭1小 时(700oC) 130，270和536oC 三个CO2峰；148， 218和275oC三个 H2O峰；266和540 oC两个耗O2峰。 低温CO2峰是表面吸 附CO2脱附。高温 CO2是烧炭得CO2。 低Co负载量的 催化剂TPO峰 相对简单，高 温峰消失。 H2O的来源为 水汽逆变换产生 并吸附的水； 烧炭过程中产生 的水。 1.3 发生层次扩散的TPD过程 次层上的物料衡算式为 （1-20） 式中，M表示次层的部位数目与表面部位数目之比（ ）。 式（1-18）、（1-20）的边界条件是 （1-21） 定性信息： 1、吸附物种的数目 2、吸附物种的强度 3、活性位的数目 4、脱附反应级数 5、表面能量分布 优点： 1、设备简单 2、研究范围大 3、原位考察吸附分子和 固体表面的反应情况 实验装置和谱图定性分析 1、流动态实验装置 2、真空实验装置 三部分组成：a、气体净化与切换系统 b、反应和控温单元 c、分析测量单元 载气：高纯He或Ar；催化剂装量：100mg左右；升温速率：5?25K/min；监测器：TCD和MS 流动态TPD 实验系统 真空TPD试验体系 工作压力：10-3Pa, 可以排除水分和空气的干扰，较准 确的初始覆盖度，一般采用MS作检测器。 TPD定性分析： 1、脱附峰的数目表征吸附在固体物质表面不同吸附强 度吸附物质的数目； 2、峰面积表征脱附物种的相对数量； 3、峰温度表征脱附物种在固体物质表面的吸附强度。 实验条件的选择和对T