课堂演示10级(第1章;五).pptVIP

1.2.6 金属键 1. 电子海模型 2. 能带理论 HF HCl HBr HI 1.4.1 晶体结构 按晶胞参数的差异将晶体分成七种晶系 1) 立方（等轴）晶系 6) 三斜晶系? (1) 离子晶体——正、负离子交替排列在晶格结点  上，相互以离子键结合而构成的。 晶体类型的周期性变化(同周期从左到右) 非化学计量化合物 组成非化学计量化合物的各个原子的相对数目不能用整数比表示。 例如：方铁矿 理想化学式为：FeO 实际组成范围为：Fe0.89O~Fe0.96O 镧镍合金作为吸氢材料：LaNi5Hx 点缺陷 （零维缺陷） 线缺陷 （一维缺陷） 面缺陷 （二维缺陷） 体缺陷 （三维缺陷） 电子缺陷 本征缺陷 杂质缺陷 位错 位错处的杂质原子 小角晶粒间界 挛晶界面 堆垛层错 包藏杂质 沉淀 空洞 导带电子 价态空穴 晶体缺陷 错位缺陷 空位缺陷 间隙缺陷 取代缺陷 1.4.2 晶体缺陷 1.4 晶体结构和晶体缺陷 大学普通化学 本征缺陷的形成 局部点阵畸变 原子热振动 克服约束，迁移到新的位置 空位、间隙原子 部分原子获得 足够高的能量 形成 引起 晶体缺陷 晶体结构破坏 晶体性质改变 导致 导致 机械强度降低 韧性、脆性受到显著影响 导电性与缺陷密切相关 1.4 晶体结构和晶体缺陷 大学普通化学 分类 间充 置换 空穴 空穴缺陷：晶体内某些晶格结点位置上缺少粒子，出现空穴。 置换缺陷：晶格结点上的某些粒子被少量别的粒子取代。 间充缺陷：组成晶体粒子的堆积空隙处，被外来粒子所填充。 1.4 晶体结构和晶体缺陷 大学普通化学 杂质缺陷——由于杂质进入晶体后所形成的缺陷。 1.4 晶体结构和晶体缺陷 大学普通化学 多电子 缺电子 Si ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ??? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? P 可活动电子 正电空穴 ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? B 1.4 晶体结构和晶体缺陷 大学普通化学 第1章 物质结构基础 1.3 分子间力与氢键 氢键形成对物质性质的影响 熔、沸点 分子间氢键使熔、沸点升高 分子内氢键使熔、沸点降低 溶解度 在极性溶剂中，若溶质和溶剂间存在氢键，则会使溶质的溶解度增大。如 HF、NH3 在H2O中的溶解度较大。 1.4 晶体结构和晶体缺陷 物质的聚集态 固态 气态 液态 晶态——晶体 非晶态——非晶体 单晶体 多晶体 1.4 晶体结构和晶体缺陷 大学普通化学 晶格(点阵)——无数结点 (微粒)按一定规律重复排 列所组成的几何构型。是 晶体的数学抽象。 晶体——由微粒(原子、分子或离子)在空间按一 定方式周期性排列构成的固体物质。 1.4 晶体结构和晶体缺陷 大学普通化学 可看成几何学中的点——结点 1. 晶体的结构特征与晶格理论 1.4 晶体结构和晶体缺陷 大学普通化学 晶胞——包括晶格结点上的微粒在内的平行六面 体，是晶体的最小重复单元，晶胞在空间平移并 无隙地堆砌形成晶体。 晶胞的两个要素： ①晶胞的大小和形状，由晶胞参数 a、b、c 、α 、β 、γ 表示。 ②晶胞的内容，由晶胞中微粒的种 类、数目和它的相对位置来表示。 a b c α β γ x y z CuSO4?5H2O α≠β≠γ≠ 90° a≠b≠c 三斜晶系 KClO3 α=γ=90°, β≠90° a≠b≠c 单斜晶系 HgCl2 α=β=γ=90° a≠b≠c 正交晶系 SiO2 α=β=90°,γ=120° a=b≠c 六方晶系 SnO2 α=β=γ=90° a=b≠c 四方晶系 Al2O3 α=β=γ≠90° a=b=c 三方晶系 NaCl α=β=γ=90° a=b=c 立方晶系 晶体实例 夹角 边长 晶系 1.4 晶体结构和晶体缺陷 大学普通化学 立方晶系的三个轴长度一样，且相互垂直，对称 性最强