半导体制程概论chapter萧宏
Hong Xiao, Ph. D. www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm Chapter 6 微影技術 Hong Xiao, Ph. D. hxiao89@ www2.austin.cc.tx.us/HongXiao/Book.htm 目標 列出組成光阻的四個成分 敘述正負光阻間的差異 敘述微影製程的程序 列出四種對準和曝光系統 敘述晶圓在晶圓軌道機、步進機整合系統中的移動方式. 說明解析度和景深、波長及數字孔徑的關係 簡介 微影技術 暫時將光阻塗佈在晶圓表面 轉移設計的圖案到光阻 IC製造流程的核心 佔40 到 50% 全部的晶圓製程時間 決定最小的圖形尺寸 微影技術的應用 主要的應用: IC 圖案化製程 其他的應用:印刷電路板, 銘板,印板等. IC 製造 IC 製造的製程流程圖 微影技術的要項 高解析度 高感光度 精確的對準性 精確的製程參數控制 低的缺陷密度 光阻 感光材料 暫時塗佈在晶圓上 將設計的圖案經由曝光轉印到晶圓表面 和照相機的底片的感光材料相似 正負光阻的比較 正負光阻的圖案化製程 光阻化學 始於印刷電路技術 1950年代後為半導體工業採用 圖案化製程的關鍵 分為正、負光阻兩種 光阻的基本成分 聚合體 溶劑 感光劑 添加劑 聚合體 有機固態材料 將設計圖案轉移到晶圓表面 藉由紫外線曝光時的光化學反應改變溶解度 正光
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