掺Eu(3+)近化学计量比铌酸锂晶体的生长与光谱特性.pdfVIP

112 动 能 材 料 2011年第1111](42)3罄 掺Eu3+近化学计量比铌酸锂晶体的生长与光谱特性。 万云涛，夏海平，张嗣春，章践立 (宁波大学光电子功能材料研究所，浙江宁波315211) 摘 要： 以K：O为助熔剂，采用大的固液界面温度 高透明性使得LN晶片在进行光刻时，在晶片背面形 梯度(90～100℃)，应用坩埚下降法成功地生长了含成漫散射，从而降低光刻电路的衬度，导致失真的线 Eu3+离子(原料中初始Eu3+摩尔浓度0。95％)的近 宽。国内外有学者采用化学还原的工艺来获得具有低 化学计量比铌酸锂单晶。测定了晶体中Eu3+离子的透光率和弱热释电效应的LN黑片，用以克服上述存 浓度以及晶体的室温吸收光谱、激发与发射光谱。根 在的问题Ls,T]。 据晶体吸收边的位置，估算出晶体中Li。0的摩尔分数 目前工业中所用的I。N晶体大多由提拉法技术生 含量为约49．47％。分另q在吸收光谱与激发光谱中观 长获得，近几年我们的研究表明，坩锅下降法又是一 测到特征的Eu3+吸收与激发峰。在394nm波长光的 种生长I。N晶体的有效工艺技术L8’9J。在生长过程中 激发下观测到5Do一7FJ(0，1，2，3，4)的荧光发射峰。 晶体隔绝空气和水，因此生长获得的晶体中存在一定 根据测得的不同部位Eu3+离子的浓度与不同部位晶 程度的缺氧情况，导致晶体的颜色比较深，大多呈现棕 片的吸收和发射峰的强度情况，可推断出Eu3+离子浓 色。这在一定程度上能降低LN晶体的透光率和热释 度在晶体中的分布沿着生长方向逐渐减少。根据测得 电性能，有利于晶体的后续加工。我们在实验中还发 的Eu3+浓度，计算得到有效分凝系数为约1．02。 现用坩锅下降法生长的掺某些稀土离子的LN晶体， 关键词： Eu3+离子；KzO；近化学计量比铌酸锂；坩埚 其荧光寿命明显比用提拉法技术生长的高。 下降法：光谱 根据Li：oNb。()。相图的特点，存在一同成分点 中图分类号：TB381 文献标识码：A 文章编号：1001-9731(2011)01—0112—04 实用的LN晶体为同成分化学计量比，由于同成分 1 引 言 LN晶体中缺少Li组分，使得晶体中存在大量的本征 大量的研究表明含Eu3+离子的固态物质在激光缺陷，导致抗激光损伤等光学性能的大幅度下降，从而 与光存储领域会有潜在的重大应用¨’2]。另外，由于 严重地制约了这些活性离子掺杂LN晶体的广泛应 Eu3+离子能级结构简单，可对5D0—7F。能级跃迁进行 格位选择激发，从而获取Eu3+离子占据格位的信息，理可以改良其某方面的特性Ll仉儿】。但是，通过改善工 因此可作为微观局域环境的探针L3]。 艺的方法得到近化学计量比的掺杂LN晶体是国内外 铌酸锂单晶(简称I。N)具有良好的电光和非线性学者研究的一个热点。用来提高LN晶体或其掺杂晶 光学性质，当中心活性离子掺杂到铌酸锂晶体时，可望 体中锂含量的工艺方法有气相传输平衡法、双坩埚连 把铌酸锂基质的优良光电性能与活性离子的特异性能