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无籽晶化学气相法生长ZnO晶体.pdf
第44卷第6期 人 工 晶 体 学 报 v。1．44No．6
无籽晶化学气相法生长ZnO晶体
胡永琴1一，曾体贤1”，陈太红1，王茂州1”，彭丽萍2，王雪敏2，吴卫东2
(1．西华师范大学物理与电子信息学院，南充637009；2．中国工程物理研究院激光聚变研究中心等离子体物理重点实验室，绵阳621900)
ITlln
X5mm
摘要：采用化学气相法自发成核的方式生长出64 ZnO单晶体。分析了化学气相输运机制，获得ZnO-C
体系在生长过程中的压强为0．43MPa，确定以扩散传输为主；设计了新的生长石英安瓿(锥角约为35。)，让沿较快
面生长的晶核能淘汰其他晶胚，易长大并形成单晶；X射线衍射测试晶体生长显露面为(002)面，其回摆曲线半峰
nm处
宽为18arcsec；六边形的腐蚀蚀坑确定该面为ZnO(001)的zn面，位错缺陷密度为103cm。量级。晶体在368
出现了较强的紫外发光峰，属带边激子跃迁；紫外透过率在450—1000rim内达65％，截止波长为390nm，对应禁带
宽度约为3．12eV。结果表明，采用无籽晶化学气相法生长的ZnO晶体结晶度好，质量较高。
关键词：ZnO；无籽晶化学气相输运；透过率
中图分类号：0782 文献标识码：A
GrowthofZnO UnseededChemical Method
SingleCrystalby VaporTransport
HU
Yong—qinl2，ZENGTi—xianl’2，CHENTai．Hon91，WANGMao．zhoul’2，PENG
Li-pin2，
WANGXue．min2．形U
Wei．don92
of andElectronic WestNormal and
(1．CollegePhysics Information，China 637009，China；2．Science
University，Nanchong
onPlasma CenterofLaser of
Tec’hnology PhysicsLaboratory,，ResearchFusion，China
AcademyEngineeringPhysics，Mianyang621900，China)
25November 2
(Received February2015)
2014，accepted
ZnO with mmx mmwere
Abstract：A crystal 5 chemical methodwith
single 64 grownby vaporphase
nucleation．
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