沉积速率和生长停顿对InAsGaAs量子点超晶格生长影响的综合分析.pdfVIP

第57卷第4期2008年4月 物 理学 报 SINICA 1000．．3290／2008／57(04)／2399．．05 ACTAPHYSICA @2008 Chin．Phys．Soc． 生长影响的综合分析* 宋禹忻 俞重远+ 刘玉敏 (北京邮电大学理学院，北京100876) (北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室。北京 100876) (2007年7月28日收到；2007年10月25日收到修改稿) 采用动力学蒙特卡罗模型模拟了沉积速率和生长停顿对GaAs衬底中垂直耦合InAs量子点超晶格生长早期阶 段的影响．通过对生长表面形态、岛平均尺寸、岛尺寸分布及其标准差等方面的研究，发现综合控制沉积速率和生 长停顿时间能够得到大小均匀、排列有序的岛阵列．这对后续量子点超晶格生长过程中量子点的定位有重要影响． 关键词：动力学蒙特卡罗模拟，量子点超晶格，外延生长 PACC：7115Q，6865，8115N 构之上进行外延生长，形成的表面岛会倾向于在埋 1．引 言 藏的量子点正上方成核，导致岛的空间排列有 序¨叫o．量子点位置的这种垂直关系是因为埋藏量 三维受限的量子点材料与传统的体材料、一维 子点产生的应变改变了表面扩散原子的激活能，影 受限量子阱材料以及二维受限量子线材料相比具有 响上层岛的成核．我们小组采用三维有限元分析，研 独特的类原子电子能态特性，在基体材料的宽带隙 究了量子点超晶格材料的纵向和横向周期对应变场 内具有分立的电子能级，并因其在光电子和微电子 分布的影响旧1，并计算了埋藏量子点产生的应变能 材料及器件中具有重要的应用而引起广泛关注．高 密度分布，证明不同的各向异性指数和盖层的厚度 密度、无位错的量子点超晶格在许多现代半导体器 会导致盖层表面上产生不同的应变能密度最小位 件中扮演着重要角色，基于Stranski．Krastanov生长置，这将导致上层量子点生长产生多种垂直对准现 模式【1-3’自组织效应获得高效量子点超晶格的方法 象‘n川． 在半导体材料的制备中具有非常好的前景． 本文采用动力学蒙特卡罗模型，模拟GaAs衬底 对于大多数包含量子点超晶格的器件，能否拥 中InAs量子点超晶格每一层量子点生长初期的亚 有大量形状相似、尺寸相近并且空间排列有序的量 单原子层成核过程．动力学蒙特卡罗法是模拟表面 子点是器件性能的关键．目前，实现量子点定位生长 生长随时间变化过程的一种方法，通过定义束缚能 的手段很多¨叫J，其本质都是改变衬底生长表面某 量势垒来表现应变产生的影响¨引，可以模拟亚单原 些位置的化学势，使原子在生长过程中更容易吸附 子层岛的成核和生长，取得了与实验现象相符的结 在特定位置上，从而达到对量子点位置的控制．利用 果¨3一驯．亚单原子层岛是三维生长量子点的早期阶 垂直耦合效应生长量子点超晶格的方法由于引入杂 质少、可控性好而引起了人们越来越多的关注№】．对 中量子点的位置和大小．我们关注的是量子点超晶 于GaAs衬底中生长InAs量子点超晶格的系统，一格中量子点位置的有序性，而不是单个三维量子点 般采用埋藏量子点，在表面产生应变弛豫图形的方 的形态，所以通过模拟亚单原子层的生长来控制量 法．先在GaAs中埋藏一层InAs量子点，之后在该结子点阵列的大小和位置是