热屏和后继加热器对生长φ300mm硅单晶热场影响的数值分析.pdfVIP

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2017-10-13 发布于北京
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热屏和后继加热器对生长φ300mm硅单晶热场影响的数值分析.pdf

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热屏和后继加热器对生长φ300mm硅单晶热场影响的数值分析.pdf

第36卷第4期人工晶体学报 v。1．36N04 1塑!堡!星：==：=!些!!坠!竺!!兰!竺!些!!!!!!!望垒!壁坠!塑热屏和后继加热器对生长郝00mm硅单晶热场影响的数值分析高宇1’2，周旗钢2，戴小林2，肖清华2 (1北京有色金属研究总院，北京100088；2有研半导体材料股份有限公司，北京100088) 加热器通过补充晶体径向的热散失，使得沿生长界面径向的由熔体向晶体的热输运实现平衡，使晶体生长界面更加平坦。随着热屏材料热辐射率的降低，晶体生长界面趋于平坦．生长界面上方热应力水平也随着热屏材料辐射率的减小而下降，使用内层高辐射率材料、外层低辐射率材料的复合式热屏结构进一步降低了晶体生长界面中心高度。关键词：模拟；直径300mm硅单晶；热屏；后继加热器中国分类号：TN304．1 文献标识码：A N删merical ofⅡIeE任bctsofHeatShieldandSucce鹪or A腮lysis Heater帅HeatField0f Si q昭∞mmSingIeCrystal Q嘶-^啪2 酗o‰”，册oug．班哲，叫，x缸o．‰2，肌40 General (1 Re帖a商hH诗mtehNon缸m嘴Md也，酬ingl00088，chin8； 2．GRDⅢscⅡ血0nducfor 100088．cIlina) M砒ed出co，I问，Be日i“g R (m删25hr，2007，一，·}nfl2却捌2007) of stress nnitev01umesofhare wasu8edf曲thesimul“0nheat6eldand Abstract：A CrysVUn distribution successorhea把rcanbeusedto theradjalheat si。rys“．T}le djssipation， of∞00mm s“pply nowisbalancedtllis tllattlle inte—hcebecame andthemehto heat crystal by process，socrystal铲dwth t11e 0fheat morenatted．The珊alstressinthe intedhcedecrease8when crystaluponlhe￡即wth emissivity shieldwilh nlaterialinsideandlow shieldmateriald