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焰熔法生长金红石单晶体生长室内温度分布的数值模拟.pdf
第45卷第l期 人 工 晶 体 学 报 v01．45N。．1
垫!垒生!旦 盟望坚盟垒垦Q!璺!塑坚垦里璺垦垦!坠堡 地竺垒翌：垫!鱼
焰熔法生长金红石单晶体生长室内温度分布
的数值模拟
刘旭东1，毕孝国1，唐 坚1，蔡云平1，孙旭东2
(1．沈阳工程学院能源与动力学院，沈阳110136；2．东北大学材料与冶金学院，沈阳110006)
摘要：以氢气和氧气的燃烧为基础，研究了焰熔法生长金红石单晶体过程中生长室内的温度分布特征，分析了H：和
O：流量对温度分布的影响。结果表明：中心轴向温度随喷嘴距离的增加而升高，在距喷嘴92舢处达到最高温度
3290．3
K后开始下降；晶体熔帽径向温度随直径的增加逐渐减小，熔帽边缘温度则急剧升高；随着H：流量增加，生长
室内中心轴向和径向温度逐渐增大，H：流量增加2L／rIlin，中心最高温度平均升高130℃，最高温度的位置向下移3．1
r哪，晶体熔帽表面温度平均升高70℃；增加内0：和外0：流量均导致生长室内中心轴向和径向温度降低，而使晶体
熔帽上的压力升高，外0：对温度的影响较大，而内O：对晶体熔帽压力的影响较大。
关键词：焰熔法；金红石单晶体；生长室；温度分布
中图分类号：0782 文献标识码：A
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(蕊撕∞d A￡唱wf2015，Ⅱcc印把d 2015)
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