熔体外延法生长截止波长8～12μm InAs1-xSbx单晶的透射光谱.pdfVIP

第28卷增刊 半导体学报 V01．28 Supplement CHINESEJOURNALOF 2007年9月 SEMICONDUCTORS Sep．，2007 InAsl一xSbx 熔体外延法生长截止波长8～12IJLm 单晶的透射光谱* 高玉竹1，’ 龚秀英1 山口十六夫2 (1同济大学电子与信息工程学院，上海200092) (2静冈大学电子工学研究所，滨松432．8011，日本) 摘要：用熔体外延法在InAs衬底上成功地生长了截止波长为8～12mm的InAsl一，Sb，单晶．用红外光谱仪测量了 样品的透射光谱．提出了组分微观分布函数的概念，并计算了InSb单晶和3种不同组分InAsl一；Sb，样品的透射光 谱．结果表明，实验测得的样品截止波长与计算得到的数据基本一致，从而证实了熔体外延法生长的InAs。+，Sb， 单晶的禁带宽度变窄现象，并认为组分微观分布的不均匀性可能影响III．V族混晶的能带结构． 关键词：熔体外延}截止波长}透射光谱；微观分布 PACC：7340G 中图分类号：0612．5 文献标识码：A 文章编号：0253-4177(2007)SO．0115-04 InAs。一，Sb，外延层的透射光谱是在日本静冈 1 引言 大学电子工学研究所用傅里叶红外光谱仪(JIR． 、我们在以前发表的论文中提出了一种新的晶体 种不同组分的InAsSb外延样品的室温透射光谱曲 生长法——熔体外延法，用此法已成功地生长了截 线．这3个样品的组分和测得的截止波长分别为：曲 止波长为8～12mm的InAsSb单晶、5～7肛m的In． 2 GaSb及11．5～13．5肛m的lnNAsSb单晶材10．5肚m；曲线c，x0．960，A=12．5肚m． 料[1~5]．用多种手段研究了材料的光学、电学及结构 性质．结果证明，这些材料具有良好的单晶取向结 0 j 构，均匀的组分分布及很高的电子迁移率．本文报道 罨 用傅里叶红外光谱仪研究InAsSb外延单晶透射光 量 谱的结果．引入了组分微观分布函数的概念，并在此 l0 假设条件下计算了InSb单晶和3种不同组分外延 暑 样品的透射光谱．结果发现，实验测得的样品的截止 波长与计算得到的结果基本一致．我们认为InAsSb 材料的禁带宽度变窄可能与半导体混晶中存在的组 分微观分布的不均匀性有关． 图1三个不同组分的InAsSb外延样品的室温透射光谱曲线 Room transmittancefor ‘Fig．1 temperature spectra InAsSb withthreedifferent 2实验与测试结果 epilayers compositions 从图中可